據(jù)供應(yīng)鏈透露，國內(nèi)存儲器模塊廠商近期大舉下急單，計劃提前儲備2至3個季度的庫存。這一舉動背后，是中美關(guān)稅對峙加劇可能引發(fā)斷供風(fēng)險的擔(dān)憂。國內(nèi)廠商希望通過提高庫存水位，規(guī)避未來供應(yīng)鏈不穩(wěn)定的影響，同時帶動了上游原廠和相關(guān)供應(yīng)鏈的出貨需求。
隨著中國對美國進(jìn)口商品加征34%關(guān)稅的反制措施出臺，業(yè)界普遍擔(dān)憂中美關(guān)稅戰(zhàn)可能進(jìn)入報復(fù)性升級循環(huán)。國內(nèi)客戶已向供應(yīng)鏈緊急下單，甚至愿意加價采購。盡管目前存儲器現(xiàn)貨市場供需未見明顯波動，但業(yè)內(nèi)暗流涌動。分析認(rèn)為，美國通過關(guān)稅手段旨在全面遏制中國制造業(yè)的競爭力，尤其是針對轉(zhuǎn)出口至其他國家的產(chǎn)品。
國內(nèi)存儲器廠商的積極備貨有三大原因。首先，內(nèi)需市場對AI算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)需求旺盛，國產(chǎn)化供應(yīng)鏈支持不可或缺；其次，提前確保關(guān)鍵零組件供應(yīng)，避免斷供風(fēng)險；最后，需警惕韓國、日本可能在美國壓力下限制對華出口，或要求存儲器廠商擴大在美投資，從而削弱中國市場的資源投入。
盡管存儲器芯片暫時未直接受到關(guān)稅影響，但國產(chǎn)化產(chǎn)能擴充仍需時間。部分廠商選擇優(yōu)先采購Flash晶圓或顆粒，因操作相對簡單。據(jù)ChinaFlashMarket統(tǒng)計，部分DDR資源價格已出現(xiàn)上漲，如DDR5 16Gb eTT價格漲至4.25美元，DDR4 16Gb eTT價格升至2.1美元。此外，部分SSD成品價格也回升至2024年年中水平。
業(yè)內(nèi)預(yù)計，在中系客戶加速備貨的推動下，第2季度相關(guān)供應(yīng)鏈的營運目標(biāo)有望超預(yù)期達(dá)成。現(xiàn)貨市場價格顯示，部分存儲器產(chǎn)品價格維持平穩(wěn)，甚至小幅反彈。

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