據(jù)媒體報道，IBM與半導體設(shè)備巨頭東京威力科創(chuàng)（TEL）近日宣布延長合作協(xié)議，未來五年將共同開展先進半導體技術(shù)的聯(lián)合研發(fā)。此次合作將重點推進下一代半導體節(jié)點與架構(gòu)的技術(shù)突破，以應對生成式人工智能時代對芯片性能的更高需求。

雙方的合作關(guān)系已持續(xù)二十多年，期間取得了一系列重要技術(shù)成果。例如，他們共同開發(fā)了一種新型激光剝離工藝，用于3D芯片堆疊技術(shù)，并成功應用于300mm硅晶圓的生產(chǎn)。這些技術(shù)突破為半導體行業(yè)多代芯片的性能提升和能效優(yōu)化奠定了基礎(chǔ)。
東京威力科創(chuàng)總裁兼執(zhí)行長河合利樹表示，雙方通過多年合作建立了深厚的信任關(guān)系，此次續(xù)簽協(xié)議體現(xiàn)了對推動半導體技術(shù)發(fā)展的共同承諾。合作領(lǐng)域?qū)ǜ邤?shù)值孔徑（High NA）極紫外光（EUV）光刻技術(shù)的進一步開發(fā)。
IBM半導體總經(jīng)理兼混合云部門副總裁Mukesh Khare強調(diào)，雙方的合作在提升芯片性能和能效方面發(fā)揮了重要作用。未來，他們將繼續(xù)攜手加速芯片技術(shù)創(chuàng)新，為生成式人工智能的發(fā)展提供強大支持。

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