在第四屆中國(guó)（南京）新賽道大會(huì)上，《中國(guó)新賽道體系發(fā)展報(bào)告2025》正式發(fā)布，報(bào)告預(yù)測(cè)了2025年“年度十大潛力新賽道”，涵蓋生成式AI、具身智能、商業(yè)航天、生物制造、第三代半導(dǎo)體、新型儲(chǔ)能、低空經(jīng)濟(jì)、量子科技、腦機(jī)接口和6G等領(lǐng)域。其中，第三代半導(dǎo)體成為南京重點(diǎn)布局的“賽道名片”之一。
南京已將第三代半導(dǎo)體列入戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，并出臺(tái)專項(xiàng)扶持政策。江北新區(qū)等區(qū)域明確將第三代半導(dǎo)體作為核心發(fā)展方向，致力于構(gòu)建全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。
科研方面，南京大學(xué)、東南大學(xué)和南京理工大學(xué)等高校發(fā)揮了重要作用。東南大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在GaN垂直結(jié)構(gòu)器件技術(shù)上取得進(jìn)展，導(dǎo)通電阻降低40%；南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院則在SiC MOSFET溝槽柵氧化層技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破。這些成果為南京在碳化硅器件和氮化鎵外延片等領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

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