據韓媒《產業經濟》援引半導體業界消息，三星電子的12層HBM3E存儲器在3月底進入重新設計階段，預計將在5月中旬或5月底再次接受NVIDIA的品質測試。這一消息引發業界廣泛關注。
三星此前曾向NVIDIA提供12層HBM3E樣品，但因未能達到客戶要求，產品從“預量產”（PRA）階段退回至客戶樣品（CS）階段。據韓國業界人士透露，重新設計通常需要約2個月時間，此次改進主要集中在矽穿孔（TSV）制程等方面。盡管外界曾猜測“發熱”是導致測試未通過的主要原因，但三星技術相關人士否認了這一說法，暗示設計問題才是關鍵。
三星半導體暨裝置解決方案（DS）部門負責人全永鉉在3月的股東大會上表示，公司正積極回應客戶反饋，并預計這些改進成果將在2025年第2季或下半年顯現。他還強調，12層HBM3E將在未來市場中扮演重要角色。
目前，三星尚未對具體細節作出進一步說明。若此次重新設計成功，產品有望在2025年第1季完成品質測試，為市場帶來新的競爭動力。

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