3月14日,2025英飛凌消費、計算與通訊創新大會(ICIC 2025)在深圳盛大召開,匯聚600余位業界精英,聚焦AI、機器人、邊緣計算及氮化鎵應用等熱門議題。
會上,英飛凌首次在國內展示了兩項突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓,彰顯了其在技術創新領域的領軍地位。
英飛凌科技全球高級副總裁潘大偉表示,值此英飛凌在華30周年之際,公司將深入推進本土化戰略,圍繞“運營、創新、生產、生態”四大方面,持續為客戶創造價值,推動業務穩健發展。
他系統介紹了英飛凌在機器人、AI數據中心和邊緣計算等領域的市場策略及優勢,表示將以這些市場為主要驅動力,依托領先的半導體技術和本土應用創新生態,賦能客戶價值創造,推動應用場景落地,引領行業創新發展。
會上,英飛凌還全面解析了四款重磅新品,包括PSOC? Control C3 MCU、新一代中壓CoolGaN?半導體器件、CoolMOS? 8高壓超結(SJ)MOSFET以及XDP?數字電源。
這些新品在性能、效率、可靠性等方面均表現出色,將為各行業提供更為環保、高效、智能的解決方案。
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