據(jù)長(zhǎng)三角國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)消息，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“芯粵能”）近期宣布，經(jīng)過近兩年的技術(shù)研發(fā)與測(cè)試，公司已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)。這一平臺(tái)采用芯粵能自主研發(fā)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，具備顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有效突破了平面MOSFET性能提升的瓶頸，大幅提升了芯片性能并降低了成本。
芯粵能表示，第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)的1200V試制品表現(xiàn)優(yōu)異，單片最高良率超過97%。在23mm2芯片尺寸下，導(dǎo)通電阻為12.5mΩ，比導(dǎo)通電阻為2.3mΩ?cm2，其性能指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先廠商的主流水平。此外，該產(chǎn)品在溫升系數(shù)、開關(guān)損耗、抗雪崩和抗短路能力等方面均能滿足產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需求，并于2025年1月通過了HTGB、HTRB、HV-H3TRB等關(guān)鍵可靠性測(cè)試的1000小時(shí)考核，實(shí)現(xiàn)零失效。
除第一代產(chǎn)品外，芯粵能正在積極推進(jìn)第二代和第三代溝槽MOSFET的研發(fā)工作，以進(jìn)一步鞏固其在國(guó)內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先地位，并逐步實(shí)現(xiàn)對(duì)國(guó)際領(lǐng)先廠商的趕超。
據(jù)透露，芯粵能在2024年完成了10億元的A輪融資，投資方包括廣東省集成電路基金和國(guó)投創(chuàng)業(yè)等機(jī)構(gòu)。這筆資金將用于8英寸產(chǎn)線的建設(shè)及市場(chǎng)拓展。芯粵能計(jì)劃總投資75億元，分兩期建設(shè)年產(chǎn)48萬(wàn)片碳化硅晶圓的生產(chǎn)線，目標(biāo)是在2026年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能全面釋放。

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