近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局發(fā)布信息顯示，至訊創(chuàng)新科技（無錫）有限公司獲得了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體設(shè)計PVT差異消除電路、方法及集成電路”的專利，授權(quán)公告號為CN 119171887 B，申請日期為2024年11月。據(jù)公開資料顯示，該公司成立于2021年，總部位于無錫，是一家專注于存儲芯片技術(shù)創(chuàng)新的高科技企業(yè)。
至訊創(chuàng)新科技的核心團(tuán)隊由長江存儲前CTO湯強(qiáng)博士領(lǐng)銜，匯聚了來自全球知名半導(dǎo)體企業(yè)的頂尖人才。公司致力于開發(fā)高性能存儲芯片，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)、監(jiān)控、工業(yè)控制及汽車電子等領(lǐng)域。目前，至訊創(chuàng)新已成功量產(chǎn)19nm工業(yè)級2D NAND閃存芯片，并完成多輪融資，為邊緣端AI存儲技術(shù)的研發(fā)提供了強(qiáng)勁動力。
據(jù)公開資料透露，該專利技術(shù)的突破將進(jìn)一步提升存儲芯片的性能和穩(wěn)定性，為公司在高端存儲市場中占據(jù)一席之地提供技術(shù)支持。未來，至訊創(chuàng)新科技將繼續(xù)深耕存儲領(lǐng)域，推動技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級。

本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-27-137368-0.html至訊創(chuàng)新科技獲半導(dǎo)體PVT差異消除專利，加速存儲芯片研發(fā)

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 斯達(dá)半導(dǎo)體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地封頂，預(yù)計明年達(dá)產(chǎn)

下一篇： 英特爾展示Panther Lake樣品，新架構(gòu)引發(fā)關(guān)注