SK海力士在半導體技術研發上取得了重大進展。其第六代12層堆疊高帶寬內存(HBM4)的測試良率已成功突破70%,這一成就為產品的量產奠定了堅實基礎。
據悉,SK海力士的HBM4項目進展迅速,自2024年年底良率達到60%以來,經過不斷努力,現已成功提升至70%。這一成績展現了SK海力士在技術研發和生產方面的強大實力。
SK海力士HBM4的快速發展,離不開其第五代10nm級DRAM(1b)技術的成功應用。該技術在性能和穩定性方面已經過充分驗證,并成功應用于HBM3e產品中。業內人士預測,HBM4的12層堆疊產品也將迅速進入量產階段。
目前,SK海力士已完成HBM4的內部技術開發和評估工作,并即將提供樣品供客戶進行性能測試。一旦測試通過,SK海力士將立即啟動量產計劃,以滿足市場對高性能內存產品的迫切需求。
此外,SK海力士的HBM4產品有望被部署在英偉達下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。英偉達計劃提前至2025年下半年量產該系列,這將促使SK海力士進一步加快HBM4的良率和量產進程。
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