南亞科總經理李培瑛指出,2025年上半年DRAM市場仍處于低谷,而中國同業的DRAM產能已遠超南亞科。盡管中國大廠主要集中在LPDDR4領域,但若非其產能輸出,DRAM市場或已回暖。
中國政府的補貼方案、三大DRAM廠的產能調整以及AI需求的增長,正推動DDR4供需趨于平衡,非AI應用需求也有所好轉。
中國長鑫存儲的月產能持續增長,全球前七大手機品牌中有五家位于中國,這為中系DRAM產能提供了地利優勢。
對于HBM技術的發展,南亞科認為高密度設計、多芯片封裝和高帶寬設計是關鍵要素,并計劃隨著市場需求提升,加強與客戶在先進制程基礎裸晶方面的合作。
展望2025年,南亞科將提升1B制程產品線占比,預計位元產出占總產出超30%。同時,南亞科計劃全年資本支出不超過196億元新臺幣,用于10納米級制程技術、新廠建設及研發等領域。
在區域經濟補貼刺激下,非AI領域需求有望進一步改善,手機及PC出貨量及DRAM搭載量有望增長。南亞科預計2025年將推出新制程DDR5及LPDDR系列產品,以拓展市場。
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