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三星突破NAND閃存技術(shù)，力求實(shí)現(xiàn)1000層堆疊

來源： 責(zé)編： 時(shí)間：2025-02-28 12:39:57 29觀看
導(dǎo)讀在近日于舊金山舉行的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，三星電子的DS部門CTO宋在赫展示了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新技術(shù)突破，包括晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應(yīng)用等技術(shù)。宋在赫透露，三星正致力于通過晶圓鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)1000層以上的NAND堆

在近日于舊金山舉行的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，三星電子的DS部門CTO宋在赫展示了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新技術(shù)突破，包括晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應(yīng)用等技術(shù)。
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宋在赫透露，三星正致力于通過晶圓鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)1000層以上的NAND堆疊，這項(xiàng)技術(shù)通過將多個(gè)晶圓結(jié)合，突破了單一晶圓堆疊的物理限制。這一技術(shù)的發(fā)展，意味著NAND閃存的存儲(chǔ)能力和效率將大幅提升。值得注意的是，三星并非唯一探索這一方向的企業(yè)，鎧俠和長(zhǎng)江存儲(chǔ)也在爭(zhēng)相研發(fā)類似技術(shù)，預(yù)計(jì)將于2027年推出1000層NAND產(chǎn)品。QUF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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此外，三星展示的低溫蝕刻技術(shù)可解決傳統(tǒng)堆疊過程中出現(xiàn)的層間問題，并為更大規(guī)模的量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。這一技術(shù)通過在極低溫度下進(jìn)行高速蝕刻，減少了傳統(tǒng)方法中的堆疊誤差。QUF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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另外，三星還計(jì)劃引入鉬材料替代鎢和氮化鈦材料，以降低晶體管電阻，進(jìn)一步提升存儲(chǔ)器的性能。業(yè)內(nèi)專家指出，隨著這些技術(shù)的推進(jìn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來設(shè)備與材料市場(chǎng)的雙重革命，技術(shù)變革帶來的行業(yè)動(dòng)蕩將在未來幾年加速上演。QUF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-27-134505-0.html三星突破NAND閃存技術(shù)，力求實(shí)現(xiàn)1000層堆疊

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