隨著全球半導(dǎo)體需求激增,相關(guān)產(chǎn)業(yè)的擴(kuò)張正迅速展開,而臺(tái)灣在晶圓廠建設(shè)的速度和效率上遙遙領(lǐng)先。據(jù)統(tǒng)計(jì),臺(tái)灣建設(shè)晶圓廠的平均時(shí)間僅為19個(gè)月,而美國則需要38個(gè)月,這一差異主要源于兩國在許可證申請、建筑周期和勞動(dòng)力效率等方面的差距。
在成本方面,臺(tái)灣的優(yōu)勢同樣明顯。雖然設(shè)備成本相似,但美國的建廠成本幾乎是臺(tái)灣的兩倍。美國的高勞動(dòng)力成本、繁瑣的法規(guī)要求和低效的供應(yīng)鏈處理,使得整個(gè)建廠過程更加耗時(shí)費(fèi)力。相比之下,臺(tái)灣因勞動(dòng)力經(jīng)驗(yàn)豐富,對每個(gè)環(huán)節(jié)都十分熟悉,所需的設(shè)計(jì)藍(lán)圖和準(zhǔn)備工作較少,從而有效縮短了建設(shè)周期。
為了縮小與臺(tái)灣的差距,美國和歐洲亟需簡化許可流程、優(yōu)化建筑技術(shù),并引入如數(shù)字孿生等先進(jìn)的規(guī)劃工具,以提高生產(chǎn)設(shè)施的建設(shè)效率。
半導(dǎo)體廠的建設(shè)不僅需要巨額資本,還要求極其龐大的資源投入。每座晶圓廠的建設(shè)成本可能超過200億美元,且每個(gè)項(xiàng)目的結(jié)構(gòu)建設(shè)就需40億至60億美元。此外,建廠過程中還會(huì)消耗大量勞動(dòng)力和物資,預(yù)計(jì)未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的擴(kuò)張勢頭將繼續(xù)加速。
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