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ROHM量產650V耐壓GaN HEMT，采用小型高散熱TOLL封裝

來源： 責編： 時間：2025-02-15 15:53:31 33觀看
導讀ROHM已量產650V耐壓GaN HEMT「GNP2070TD-Z」，采用TOLL封裝，體積小且散熱性能出色。該產品由半導體后段制程供應商ATX生產，旨在滿足大功率應用對小型化和高效率化的需求。ROHM于2023年量產了第一代650V耐壓GaN HEMT，并隨后

ROHM已量產650V耐壓GaN HEMT「GNP2070TD-Z」，采用TOLL封裝，體積小且散熱性能出色。該產品由半導體后段制程供應商ATX生產，旨在滿足大功率應用對小型化和高效率化的需求。
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ROHM于2023年量產了第一代650V耐壓GaN HEMT，并隨后推出了Power Stage IC。此次，ROHM在DFN8080封裝基礎上，強化了650V GaN HEMT的封裝陣容，內建了第二代GaN on Si芯片，性能達到業界頂級水平。Wgw28資訊網——每日最新資訊28at.com


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新產品有助于電源系統實現節能和小型化，已于2024年12月量產，并通過電商平臺銷售。ROHM與臺積電和ATX合作，前段制程在臺積電生產，后段制程在ATX生產。ROHM還計劃與ATX合作生產車載GaN元件，預計2026年起加速普及。Wgw28資訊網——每日最新資訊28at.com


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ATX董事兼總經理廖弘昌表示，ROHM擁有先進的制造技術，很高興與其合作。雙方于2017年開始技術交流，并探討深入合作的可能性。Wgw28資訊網——每日最新資訊28at.com


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