全球碳化矽技術領導者Wolfspeed,近日推出全新Gen 4 MOSFET技術平臺,該平臺專為高功率設計打造,顯著提升系統能效并兼具耐用性,同時降低系統成本與開發時間。
Gen 4技術平臺覆蓋750V、1200V和2300V電壓等級,適用于電動車動力系統、交通、再生能源、電池儲能及人工智能等領域。
其核心優勢包括:在操作溫度下,導通電阻降低21%,切換損耗減少15%;提升可靠度,如高達2.3μS的短路耐受時間;簡化設計流程,降低系統成本及縮短開發時間。
Gen 4技術還具備高耐用性設計,從容應對最嚴苛環境,如汽車、工業和再生能源制造商的全面電氣化需求。
其體二極管設計進一步提升系統耐用性,實現更快切換、更低損耗,并將VDS過沖降低80%。裸芯片可在185°C下穩定運行,200°C下短時間操作,為設計提供更高彈性。
此外,Gen 4技術降低系統成本,支持使用更小型、少量、具成本效益的被動元件與濾波器,縮短開發時間。相同體積下可提升高達30%的功率輸出,整合創新的體二極管設計,大幅降低反向恢復過程中的EMI,簡化EMI設計流程。
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