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長鑫存儲加速DRAM制程開發(fā)

來源：責編：時間：2025-02-14 12:09:12 35觀看

導讀據(jù)韓媒報道，長鑫存儲（CXMT）已量產(chǎn)基于16nm制程的DDR5內(nèi)存芯片，良率達80%左右，產(chǎn)品定名為“G4”。與上一代18nm的G3相比，G4的DRAM單元尺寸縮小了20%。此外，長鑫存儲正在研發(fā)15nm的下一代DRAM制程技術，即G5，預計2025年底開發(fā)完成

據(jù)韓媒報道，長鑫存儲（CXMT）已量產(chǎn)基于16nm制程的DDR5內(nèi)存芯片，良率達80%左右，產(chǎn)品定名為“G4”。與上一代18nm的G3相比，G4的DRAM單元尺寸縮小了20%。

此外，長鑫存儲正在研發(fā)15nm的下一代DRAM制程技術，即G5，預計2025年底開發(fā)完成，最快2026年下半年商業(yè)化。

長鑫存儲此前主要生產(chǎn)DDR4、LPDDR4X等較成熟產(chǎn)品，2024年11月首次發(fā)布了LPDDR5產(chǎn)品，2025年初成功實現(xiàn)DDR5商業(yè)化。長鑫存儲一直在同時開發(fā)17nm和16nm制程技術，最終選擇更先進的16nm制程技術用于首款商用DDR5產(chǎn)品。

雖然長鑫存儲原計劃使用EUV設備開發(fā)15nm制程技術，但受美國出口限制影響，只能利用現(xiàn)有設備開發(fā)和量產(chǎn)下一代制程。

盡管如此，長鑫存儲仍積極推行制程優(yōu)化和先進制程設備的國產(chǎn)化，以期望突破技術瓶頸。目前，三星電子和SK海力士已開發(fā)出15nm和12nm DRAM制程技術，但中國技術進步迅速，差距正在逐漸縮小。

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