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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)加速DRAM制程開(kāi)發(fā)

來(lái)源：責(zé)編：時(shí)間：2025-02-14 12:09:12 76觀看

導(dǎo)讀據(jù)韓媒報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）已量產(chǎn)基于16nm制程的DDR5內(nèi)存芯片，良率達(dá)80%左右，產(chǎn)品定名為“G4”。與上一代18nm的G3相比，G4的DRAM單元尺寸縮小了20%。此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在研發(fā)15nm的下一代DRAM制程技術(shù)，即G5，預(yù)計(jì)2025年底開(kāi)發(fā)完成

據(jù)韓媒報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）已量產(chǎn)基于16nm制程的DDR5內(nèi)存芯片，良率達(dá)80%左右，產(chǎn)品定名為“G4”。與上一代18nm的G3相比，G4的DRAM單元尺寸縮小了20%。

此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在研發(fā)15nm的下一代DRAM制程技術(shù)，即G5，預(yù)計(jì)2025年底開(kāi)發(fā)完成，最快2026年下半年商業(yè)化。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)此前主要生產(chǎn)DDR4、LPDDR4X等較成熟產(chǎn)品，2024年11月首次發(fā)布了LPDDR5產(chǎn)品，2025年初成功實(shí)現(xiàn)DDR5商業(yè)化。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)一直在同時(shí)開(kāi)發(fā)17nm和16nm制程技術(shù)，最終選擇更先進(jìn)的16nm制程技術(shù)用于首款商用DDR5產(chǎn)品。

雖然長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)原計(jì)劃使用EUV設(shè)備開(kāi)發(fā)15nm制程技術(shù)，但受美國(guó)出口限制影響，只能利用現(xiàn)有設(shè)備開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)下一代制程。

盡管如此，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)仍積極推行制程優(yōu)化和先進(jìn)制程設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化，以期望突破技術(shù)瓶頸。目前，三星電子和SK海力士已開(kāi)發(fā)出15nm和12nm DRAM制程技術(shù)，但中國(guó)技術(shù)進(jìn)步迅速，差距正在逐漸縮小。

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