AVt天堂网 手机版,亚洲va久久久噜噜噜久久4399,天天综合亚洲色在线精品,亚洲一级Av无码毛片久久精品

當前位置:首頁 > 科技  > 芯片

三星加速1c DRAM開發,押注HBM4翻盤

來源: 責編: 時間:2025-02-13 17:12:55 43觀看
導讀三星電子據傳正在加速開發1c DRAM,以期在HBM4上實現翻盤。針對此前HBM失去主導地位的困境,三星決定跳過1b DRAM,全力投入1c DRAM的研發。據韓媒報道,三星已重新設計第四代1a DRAM,并正考慮對10納米級1c DRAM進行再設計,以提

三星電子據傳正在加速開發1c DRAM,以期在HBM4上實現翻盤。針對此前HBM失去主導地位的困境,三星決定跳過1b DRAM,全力投入1c DRAM的研發。E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com


E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com

據韓媒報道,三星已重新設計第四代1a DRAM,并正考慮對10納米級1c DRAM進行再設計,以提高良率。此前,三星在技術開發上取得了突破,但良率未達預期,導致開發目標延期。E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com


E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com

為了提升HBM競爭力,三星計劃將1c DRAM用于2025年下半年量產的HBM4。而競爭對手SK海力士則計劃在HBM4中使用1b DRAM,從HBM4E開始才使用1c DRAM。E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com


E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com

對于三星而言,率先將1c DRAM用于HBM4是一場關鍵戰役。此前,重要客戶NVIDIA曾對三星HBM設計提出質疑,認為需要重新設計。而三星半導體暨裝置解決方案部門負責人也表示正在重新審視DRAM設計。E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com


E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com

盡管三星方面表示無法確認任何特定產品的開發信息,但韓國業界認為,如果三星僅對1c DRAM的問題部分進行再設計,仍可按原計劃推進,預計良率問題將很快解決。E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com


E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com

若一切順利,三星有望在2025年上半年完成1c DRAM開發,下半年將其用于HBM4量產。E2G28資訊網——每日最新資訊28at.com

本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-27-130254-0.html三星加速1c DRAM開發,押注HBM4翻盤

聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com

上一篇: 美超微下調2025年營收預期,歸因于NVIDIA GPU延遲出貨

下一篇: 英特爾再遭打擊:DCAI總經理跳槽諾基亞

標簽:
  • 熱門焦點
Top