三星電子據傳正在加速開發1c DRAM,以期在HBM4上實現翻盤。針對此前HBM失去主導地位的困境,三星決定跳過1b DRAM,全力投入1c DRAM的研發。
據韓媒報道,三星已重新設計第四代1a DRAM,并正考慮對10納米級1c DRAM進行再設計,以提高良率。此前,三星在技術開發上取得了突破,但良率未達預期,導致開發目標延期。
為了提升HBM競爭力,三星計劃將1c DRAM用于2025年下半年量產的HBM4。而競爭對手SK海力士則計劃在HBM4中使用1b DRAM,從HBM4E開始才使用1c DRAM。
對于三星而言,率先將1c DRAM用于HBM4是一場關鍵戰役。此前,重要客戶NVIDIA曾對三星HBM設計提出質疑,認為需要重新設計。而三星半導體暨裝置解決方案部門負責人也表示正在重新審視DRAM設計。
盡管三星方面表示無法確認任何特定產品的開發信息,但韓國業界認為,如果三星僅對1c DRAM的問題部分進行再設計,仍可按原計劃推進,預計良率問題將很快解決。
若一切順利,三星有望在2025年上半年完成1c DRAM開發,下半年將其用于HBM4量產。
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