俄羅斯：將審查iPhone等外國公司設備 保數據安全
iPhone和特斯拉都屬于在各自領域領頭羊的品牌，推出的產品也也都是數一數二的，但對于一些國家而言，它們的產品可靠性和安全性還是在限制范圍內。近日，俄羅斯聯邦通信、信息技術
計算光刻作為現代芯片制造光刻環節的核心技術之一，其發展經歷了從規則導向到模型驅動的轉變。然而，隨著制程邁向 7nm 乃至 5nm 節點，傳統方法因規則局限、優化自由度不足等制約，難以滿足復雜芯片設計的高要求。在此背景下，反向光刻技術（ILT）以其獨特的優化思路應運而生。
ILT 即從目標芯片圖案出發，逆向推導獲得最優化掩模圖案，極大地提升優化的靈活性和精準度，更能滿足先進制程對圖形精度的苛刻需求。因此，在探索 7nm 及以下制程的征途中，ILT 技術無疑將是提升制造良率的關鍵技術。尤其在尖端光刻設備受限的國內環境下，其重要性更是不言而喻。
ILT 并非一種新興技術，但其存在諸如計算量大效率低，掩模復雜度高難于制造等技術難點，長期以來尚未得到廣泛應用。作為探索 ILT 技術的先驅之一，東方晶源 ILT 采用 GPU 集群高性能計算解決方案，解決了計算量大的難題，率先實現了全芯片級別的基于 ILT 技術的掩模優化。面對 7/5nm 等先進制程的迫切需求，近期東方晶源 ILT 解決方案又成功攻克眾多技術難題，包括優化收斂性、結果一致性、人工智能加速、掩模復雜度重整化等，目前正在國內各大 Fab 廠商加緊驗證。
革新后的東方晶源 ILT 解決方案其主要特點及優勢體現在以下幾個方面：
獨創的混合掩模優化方法，顯著降低計算復雜度，提升整體計算效率，特別是在優化輔助曝光信號的同時考慮三維掩模效應，提供更為精準的掩模結果。
引入人工智能技術進一步解決 ILT 所需運算時間長的弊端，其深度學習模型預測結果與 ILT 計算結果相似度高達 95%，同時獲得近十倍的提速。
支持矩形圖形（Rectangle）、曼哈頓圖形（Manhattan）以及曲線圖形（Curvilinear）的不同復雜度掩模設計，適應不同客戶及應用場景需求。
圖 1 人工智能賦能東方晶源全芯片 ILT 解決方案
圖 2 PanGen ILT? 支持生成不同復雜度的掩模圖形
圖 3 PanGen ILT? 結果相比傳統 OPC 結果工藝窗口增大超過 10%
東方晶源自 2014 年成立以來，在計算光刻領域持續創新，構建了全面且領先的技術體系，旗下計算光刻平臺 PanGen? 已經形成八大產品矩陣，包括 Model、DRC、SBAR、OPC、LRC、DPT、SMO、DMC，具備完整的計算光刻相關 EDA 工具鏈條，并已在國內各大 Fab 廠商廣泛應用，量產掩模超 6000 張。隨著 ILT 解決方案的不斷革新，其在效率和性能上的優勢更加突顯，必將在先進制程研發和應用中發揮重要作用，在提升良率、降低生產成本方面展現出獨特的價值。展望未來，東方晶源將持續堅持技術創新，提供卓越的解決方案，為我國半導體產業的發展和進步貢獻智慧和力量。
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