快科技7月24日消息,隨著生成式AI、高效能運算(HPC)和數據中心對內存頻率與效率需求的快速提升,新一代內存標準DDR6正朝著量產普及邁進。
據報道,業界預估DDR6將于2027年進入大規模普及期。
目前三星、美光與SK海力士等全球三大DRAM原廠,已率先啟動開發計劃,聚焦于DDR6芯片、控制器與封裝模組的技術突破與產品布局。
根據JEDEC的推進時間表,DDR6主規范已于2024年底完成草案,LPDDR6草案也于2025年第二季對外發布,預計2026年將進入平臺測試與驗證階段。
業者分析,DDR6在效能與架構方面皆實現重大突破,起始速率達8800MT/s,產品生命周期內高可達17600 MT/s,超頻模塊終可能達到 21000MT/s的速度,整體效能較DDR5提升約2至3倍。
在架構方面,DDR6采用4×24-bit通道設計,相較DDR5的2×32-bit,在平行處理效率、數據流通與頻率使用上更具優勢,但同時也對模組I/O設計提出更高要求。
與此同時,由JEDEC標準化的CAMM2,正成為DDR6時代的主流解決方案,CAMM2結合高頻寬、高密度、低阻抗與薄型化設計,成功解決DDR5中288引腳DIMM插槽限制。
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