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有望徹底改變內(nèi)存現(xiàn)狀！新一代3D X-DRAM技術(shù)亮相：容量提高10倍

來源： 責(zé)編： 時間：2025-05-08 17:51:18 66觀看
導(dǎo)讀 快科技5月8日消息，NEO Semiconductor近日宣布推出兩項新的3D X-DRAM單元設(shè)計——1T1C和3T0C，有望徹底改變DRAM內(nèi)存的現(xiàn)狀。這兩種設(shè)計分別采用單晶體管單電容和三晶體管零電容的架構(gòu)，預(yù)計將于2026年

快科技5月8日消息，NEO Semiconductor近日宣布推出兩項新的3D X-DRAM單元設(shè)計——1T1C和3T0C，有望徹底改變DRAM內(nèi)存的現(xiàn)狀。PXF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

這兩種設(shè)計分別采用單晶體管單電容和三晶體管零電容的架構(gòu)，預(yù)計將于2026年生產(chǎn)概念驗證測試芯片，并將提供比當(dāng)前普通DRAM模塊10倍的容量。PXF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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基于NEO的3D X-DRAM技術(shù)，新設(shè)計的內(nèi)存單元能夠在單一模塊上容納512Gb（64GB）的容量，這比目前市面上任何模塊至少多出10倍。PXF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

在NEO的測試模擬中，這些單元的讀寫速度達到10納秒，保留時間超過9分鐘，這兩項性能指標均處于當(dāng)前DRAM能力的前沿。PXF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

新設(shè)計采用了基于氧化銦鎵鋅（IGZO）的材料，1T1C和3T0C單元可以像3D NAND一樣構(gòu)建，采用堆疊設(shè)計，從而提高容量和吞吐量，同時保持節(jié)能狀態(tài)。PXF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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NEO Semiconductor的首席執(zhí)行官Andy Hsu表示：“隨著1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我們正在重新定義內(nèi)存技術(shù)的可能性。這項創(chuàng)新突破了當(dāng)今DRAM的擴展限制，使NEO成為下一代內(nèi)存的領(lǐng)導(dǎo)者。”PXF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

NEO Semiconductor計劃在本月的IEEE國際存儲器研討會上分享更多關(guān)于1T1C、3T0C以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列產(chǎn)品的信息。PXF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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