快科技4月9日消息,據媒體報道,近日,Ferroelectric Memory Co.(FMC)與Neumonda宣布建立合作伙伴關系,致力于將一種名為“DRAM+”的新型內存架構推向市場。
這種內存技術將DRAM的高速性能與非易失性數據保留能力相結合,解決了高速DRAM與NAND閃存等存儲之間的性能差距。
DRAM+技術的核心在于用鐵電氧化鉿(HfO2)元件替代傳統DRAM中的電容器,HfO2元件能夠在無需電源的情況下持久存儲數據,還能保持納秒級的訪問速度。
與過去使用的鋯鈦酸鉛(PZT)相比,HfO2具有更高的可擴展性,能夠與現有的半導體制造工藝兼容,支持10納米以下的制造工藝,并實現千兆位級別的存儲密度。
FMC的DRAM+技術主要針對需要持久性、低功耗和高性能的特定應用,如AI加速器、汽車電子控制單元(ECU)以及醫療植入物等。
通過消除傳統的刷新周期,DRAM+能夠顯著降低靜態功耗,相比傳統單晶體管/單電容器DRAM單元更具優勢。
Neumonda將為FMC提供其先進的測試平臺套件Rhinoe、Octopus Raptor,用于電氣特性和分析,不過雙方尚未公布商用DRAM+產品的具體生產時間表。
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