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內(nèi)存的速度+閃存的持久性：DRAM+內(nèi)存即將面世

來源： 責(zé)編： 時間：2025-04-10 07:38:49 59觀看
導(dǎo)讀 快科技4月9日消息，據(jù)媒體報道，近日，F(xiàn)erroelectric Memory Co.（FMC）與Neumonda宣布建立合作伙伴關(guān)系，致力于將一種名為“DRAM+”的新型內(nèi)存架構(gòu)推向市場。這種內(nèi)存技術(shù)將DRAM的高速性能與非易失性數(shù)據(jù)保

快科技4月9日消息，據(jù)媒體報道，近日，F(xiàn)erroelectric Memory Co.（FMC）與Neumonda宣布建立合作伙伴關(guān)系，致力于將一種名為“DRAM+”的新型內(nèi)存架構(gòu)推向市場。Ksm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

這種內(nèi)存技術(shù)將DRAM的高速性能與非易失性數(shù)據(jù)保留能力相結(jié)合，解決了高速DRAM與NAND閃存等存儲之間的性能差距。Ksm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

DRAM+技術(shù)的核心在于用鐵電氧化鉿（HfO2）元件替代傳統(tǒng)DRAM中的電容器，HfO2元件能夠在無需電源的情況下持久存儲數(shù)據(jù)，還能保持納秒級的訪問速度。Ksm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

與過去使用的鋯鈦酸鉛（PZT）相比，HfO2具有更高的可擴(kuò)展性，能夠與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝兼容，支持10納米以下的制造工藝，并實(shí)現(xiàn)千兆位級別的存儲密度。Ksm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

FMC的DRAM+技術(shù)主要針對需要持久性、低功耗和高性能的特定應(yīng)用，如AI加速器、汽車電子控制單元（ECU）以及醫(yī)療植入物等。Ksm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

通過消除傳統(tǒng)的刷新周期，DRAM+能夠顯著降低靜態(tài)功耗，相比傳統(tǒng)單晶體管/單電容器DRAM單元更具優(yōu)勢。Ksm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Neumonda將為FMC提供其先進(jìn)的測試平臺套件Rhinoe、Octopus Raptor，用于電氣特性和分析，不過雙方尚未公布商用DRAM+產(chǎn)品的具體生產(chǎn)時間表。Ksm28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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