2 月 15 日消息,TechInsights 和 SemiWiki 于 2 月 10 日發布博文,披露了英特爾 Intel 18A(1.8nm 級別)和臺積電 N2(2nm 級別)工藝上的關鍵信息。整體而言,Intel 18A 工藝在性能方面更勝一籌,而臺積電的 N2 工藝則可能在晶體管密度方面更具優勢。
TechInsights 的分析顯示,臺積電 N2 工藝的高密度 (HD) 標準單元晶體管密度達到了 313 MTr / mm^2,遠超 Intel 18A (238 MTr / mm^2) 和三星 SF2 / SF3P (231 MTr / mm^2)。
注:現代高性能處理器通?;旌鲜褂酶呙芏?(HD)、高性能 (HP) 和低功耗 (LP) 標準單元,但目前尚不清楚英特爾和臺積電的 HP 和 LP 標準單元的性能對比情況。
TechInsights 認為,臺積電 N2 工藝在 HD 標準單元上具有晶體管密度優勢,但在其他類型的標準單元上優勢可能并不明顯;在性能方面,英特爾的 Intel 18A 工藝將領先于臺積電的 N2 和三星的 SF2。
但需要注意的是,TechInsights 的評估方法存在一定爭議,他們以臺積電的 N16FF 和三星的 14nm 工藝作為基準,并結合兩家公司宣布的節點到節點的性能改進進行預測,這種方式可能不夠準確。
Intel 18A 工藝支持 PowerVia 背面供電網絡,這可能使其在性能和晶體管密度方面優于不支持該技術的臺積電 N2,但并非所有 18A 芯片都會使用 PowerVia 技術。
英特爾計劃于 2025 年年中開始量產 18A 工藝,首批產品將是 Core Ultra 3 系列“Panther Lake”處理器。
臺積電的 N2 工藝預計將于 2025 年底開始大規模生產,首批產品預計最早將于 2026 年年中上市,大眾市場產品預計將于 2026 年秋季上市。三星尚未公布 SF2 工藝的具體量產時間,僅表示將在 2025 年。
本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-24-130829-0.htmlTechInsights 評估:英特爾 18A 工藝性能更佳、臺積電 N2 密度更高
聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com