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75倍能效提升！我國存儲重大突破強存算一體芯片研制成功：美韓廠商側目

來源：責編：時間：2023-10-13 14:32:55 447觀看

導讀 10月12日消息，我國存儲芯片上又有了新的大突破，而且是全球領先。清華大學集成電路學院教授吳華強、副教授高濱團隊基于存算一體計算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學習（機器學習能在硬件端直接

10月12日消息，我國存儲芯片上又有了新的大突破，而且是全球領先。

清華大學集成電路學院教授吳華強、副教授高濱團隊基于存算一體計算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學習（機器學習能在硬件端直接完成）的憶阻器存算一體芯片。

在支持片上學習的憶阻器存算一體芯片領域取得重大突破，有望促進人工智能、自動駕駛可穿戴設備等領域發(fā)展。相關成果在線發(fā)表于新一期的《科學》雜志。

記憶電阻器（Memristor，憶阻器），是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后，仍能“記憶”通過的電荷，被當做新型納米電子突觸器件。

存算一體架構徹底消除了數(shù)據(jù)在邏輯處理器與存儲芯片之間的搬遷問題，減少能量消耗及延遲，在邊緣計算和云計算中有廣泛的應用前景。

相同任務下，該芯片實現(xiàn)片上學習的能耗僅為先進工藝下專用集成電路（ASIC）系統(tǒng)的1/35，同時有望實現(xiàn)75倍的能效提升。

75倍能效提升！我國存儲重大突破強存算一體芯片研制成功：美韓廠商側目

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