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SK海力士1cnm DRAM技術新成果：良品率提升至80%以上

來源： 責編： 時間：2025-04-10 07:39:37 11觀看
導讀 快科技4月9日消息，據報道，SK海力士在DRAM芯片技術領域取得重大突破，其1cnm工藝DRAM芯片良品率已從去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行業領先水平。這一技術突破正值AI浪潮推動高性能存儲需求激增的關鍵時期

快科技4月9日消息，據報道，SK海力士在DRAM芯片技術領域取得重大突破，其1cnm工藝DRAM芯片良品率已從去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行業領先水平。Act28資訊網——每日最新資訊28at.com

這一技術突破正值AI浪潮推動高性能存儲需求激增的關鍵時期，有望幫助SK海力士在消費級和數據中心市場建立技術優勢，挑戰三星在DRAM領域的領導地位。Act28資訊網——每日最新資訊28at.com

采用1cnm工藝制造的DDR5 DRAM芯片展現出顯著性能提升：運行速率達到8Gbps，較前代產品提升11%；能效提高9%以上；通過設計技術革新，生產效率提升超過30%。Act28資訊網——每日最新資訊28at.com

SK海力士通過應用新型材料和優化EUV工藝，在提升性能的同時保持了成本競爭力。據估算，數據中心采用該芯片后有望節省30%以上的電力成本。Act28資訊網——每日最新資訊28at.com

盡管具體上市時間尚未確定，但這一技術突破已為下一代高性能存儲解決方案奠定了基礎。隨著良品率的持續提升和產能的逐步擴大，1cnm DRAM芯片有望重塑存儲市場格局，為AI時代的數據處理需求提供更強大的支持。Act28資訊網——每日最新資訊28at.com

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