【ITBEAR】9月6日消息，三星電子正致力于研發(fā)新一代DDR內(nèi)存技術(shù)，該技術(shù)預(yù)計(jì)在2024年面世，將采用先進(jìn)的1cnm制程工藝。據(jù)悉，這一技術(shù)突破將支持高達(dá)32Gb的顆粒容量，為內(nèi)存市場(chǎng)帶來前所未有的存儲(chǔ)能力。rAF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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據(jù)ITBEAR了解，三星電子在內(nèi)存技術(shù)方面一直處于行業(yè)前沿。此次推出的1cnm制程DDR內(nèi)存，不僅代表了該公司在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的最新成果，更是對(duì)整個(gè)內(nèi)存行業(yè)的一次重要革新。隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和人工智能等技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)內(nèi)存容量的需求也日益增長(zhǎng)，三星的這一新產(chǎn)品無疑將滿足市場(chǎng)的迫切需求。rAF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

展望未來，三星電子已制定了明確的技術(shù)路線圖。到2026年，該公司計(jì)劃發(fā)布其最后一代10nm級(jí)工藝的1dnm內(nèi)存。這款內(nèi)存產(chǎn)品同樣將提供32Gb的最大容量，進(jìn)一步鞏固三星在內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級(jí)，三星電子正努力推動(dòng)全球內(nèi)存行業(yè)的發(fā)展，為未來的數(shù)字化世界構(gòu)建更強(qiáng)大的存儲(chǔ)基石。rAF28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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