K60 Pro官方停產 第三方瞬間漲價
雖然沒有官方宣布，但Redmi的一些高管也已經透露了，Redmi K60 Pro已經停產且不會補貨，這一切都是為了即將到來的K60 Ultra鋪路，屬于廠家的正常操作。但有意思的是該機在停產之后
最近，國產SiC設備又傳來振奮人心的消息——北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機實現了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術突破。
據了解，該技術已經在SiC襯底制備段及器件背面減薄段實現了小批量應用，并且獲得了頭部企業的一致認可，而且新的減薄機協同SiC激光改質剝離切割技術，可以大幅降低SiC襯底成本和工時。
眾所周知，SiC襯底制備挑戰極大，尤其是切磨拋關鍵環節。傳統的砂漿線等切割及研磨技術發展較為成熟，但存在加工效率低、材料損耗大、自動化程度低、面型一致性差等問題，從而導致SiC襯底難以降低成本，阻礙了SiC器件的廣泛采用。
砂漿線切割技術不足
加工時間對比
SiC襯底切磨拋環節路線對比
WG-1250碳化硅自動減薄機和WG-1261碳化硅全自動減薄機
最近，北京中電科公司自研的6/8英寸WG-1250碳化硅（晶錠）自動減薄機、WG-1261碳化硅（晶片）全自動減薄機核心技術指標均取得了關鍵性突破，6/8英寸SiC減薄后厚度均勻性TTV≤2μm（晶片）/TTV≤3μm（晶錠）；翹曲度（WARP）≤30μm（晶片）；表面彎曲程度（BOW）≤±15μm（晶片）；UPH≥4片/小時（激光剝離面@單面去除80μm），UPH≥7片/小時（多線切割面@雙面去除各70μm），這些技術指標的突破與設備產品的推出，標志著北京中電科公司駛入SiC襯底、SiC器件產業鏈發展的快車道。
SiC晶片/晶錠減薄前后及實驗數據
據了解，該公司是在原有6英寸SiC自動減薄機和12英寸Si晶圓全自動減薄機的基礎上，進一步優化大功率低振動氣浮主軸和高剛度高精度氣浮載臺設計，突破晶圓厚度分區域自動控制技術、晶錠厚度（≤5cm）自動測量技術、不同厚度晶錠同臺同時加工技術及磨削/進給自動快速迭代技術等，不斷優化激光改質剝離切割后的晶錠/晶片磨削工藝。
此外，北京中電科還聯合鄭州三磨所進行粗、細、精等金剛石磨輪耗材的工藝適配，克服了SiC材料磨不動不好磨、晶圓面型控制精度差、磨輪損耗大與匹配性差等問題，滿足了6/8英寸雙尺寸、高質量的減薄需求，受到頭部企業的一致認可。
自主可控的SiC減薄用關鍵核心零部件
北京中電科公司表示，他們這次推出的WG-1250碳化硅（晶錠）自動減薄機、WG-1261碳化硅（晶片）全自動減薄機，可聯合國產激光改質剝離切割、晶亦精微SiC專用CMP、太原風華SiC缺陷檢測等設備，助力國產6英寸SiC襯底制造的核心裝備局部成線能力快速躍升。他們始終以更快、更準、更精為導向，從更精尖技術、更優越性能和更穩定工藝等多維度持續優化SiC減薄設備，助力我國SiC襯底快速邁進8英寸時代。
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