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日本Dry Chemicals采用新工藝將SiC晶圓制造成本降低30%

來源: 責編: 時間:2023-09-11 22:35:17 293觀看
導讀9月11日消息,據日刊工業新聞報道,近期,日本Dry Chemicals開發出一種新的工藝,能夠將功率半導體材料碳化硅(SiC)晶圓的制造成本降低20-30%。該新工藝的要點是在晶錠上進行開槽,使晶圓切片更加平整,從而減少晶圓表面研磨、拋

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9月11日消息,據日刊工業新聞報道,近期,日本Dry Chemicals開發出一種新的工藝,能夠將功率半導體材料碳化硅(SiC)晶圓的制造成本降低20-30%。n1628資訊網——每日最新資訊28at.com


該新工藝的要點是在晶錠上進行開槽,使晶圓切片更加平整,從而減少晶圓表面研磨、拋光等后處理所需的步驟,只需要在切割后立即進行鏡面研磨、化學機械拋光(CMP)、清潔和檢查即可獲得成品。n1628資訊網——每日最新資訊28at.com


據悉,Dry Chemicals將于10月份開始晶圓代加工,并且對外銷售制造設備,預計第一年銷售5-10臺。n1628資訊網——每日最新資訊28at.com


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