一加Ace2 Pro真機(jī)揭曉 鈦空灰配色質(zhì)感拉滿
終于，在經(jīng)過了幾波預(yù)熱之后，一加Ace2 Pro的外觀真機(jī)圖在網(wǎng)上出現(xiàn)了。還是博主數(shù)碼閑聊站曝光的，這次的外觀設(shè)計(jì)還是延續(xù)了一加11的方案，只是細(xì)節(jié)上有了調(diào)整，例如新加入了鈦空灰
昨天（9月5日），作為全球最大的硅晶圓企業(yè)，信越化學(xué)宣布“自我革命”——將推出1800V垂直型GaN器件，這項(xiàng)技術(shù)主要有2個(gè)關(guān)鍵技術(shù)，今天，“行家說三代半”給大家分析一下。
第一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)：
用GaN工程襯底實(shí)現(xiàn)1800V耐壓
信越化學(xué)認(rèn)為，基于硅襯底的GaN功率器件要實(shí)現(xiàn)大電壓比較難，因?yàn)楦叩碾妷盒枰练e更厚的GaN外延層，GaN與硅襯底具有較大的熱膨脹系數(shù)失配，很容易產(chǎn)生晶圓翹曲甚至開裂的問題。
垂直型GaN器件是實(shí)現(xiàn)大電壓的技術(shù)方向，但是垂直型器件通常需要至少10μm的高質(zhì)量GaN單晶，目前可商用的GaN單晶尺寸僅為2-4英寸，不僅價(jià)格高昂，而且缺陷密度也很高。
怎么辦呢？信越化學(xué)找到了另一個(gè)實(shí)現(xiàn)垂直型GaN器件的方法。
2019年，信越化學(xué)獲得了美國QROMIS的(QST)工程襯底專利許可，目的是通過QST襯底開發(fā)氮化鎵外延和垂直型GaN器件等產(chǎn)品。
QROMIS成立于2015年成立，QST襯底是的關(guān)鍵技術(shù)，這種工程襯底使用的核心材料是陶瓷聚氮化鋁 (AlN) 層，能夠克服GaN和硅襯底之間的熱膨脹系數(shù)失配問題，因此在可以大幅增加GaN外延厚度。
QROMIS的QST工程襯底示意圖
QROMIS之前發(fā)布了6英寸和8英寸的QST襯底，以及具有5μm和10μm厚度的GaN模板，基于該模板生長的GaN器件良率為90%，并且還已證明基于QST的GaN層厚可以達(dá)到30 μm，而且無裂紋。
此外，QST襯底還可以實(shí)現(xiàn)更大的晶圓直徑，QROMIS計(jì)劃在2025年生產(chǎn)12英寸GaN襯底。
從獲得專利授權(quán)后，信越化學(xué)就一直在改善QST襯底，加快量產(chǎn)化進(jìn)程。2022年5月，信越化學(xué)就開始擴(kuò)建GaN外延量產(chǎn)系統(tǒng)。
根據(jù)公告，信越化學(xué)目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了超過10μm的GaN層穩(wěn)定生長，而且他們的研發(fā)結(jié)果顯示，使用QST襯底生長了超過20μM的GaN層，并在功率器件上實(shí)現(xiàn)了1800V的擊穿電壓。
注：除了信越化學(xué)外，QROMIS還將該技術(shù)授權(quán)給了世界先進(jìn)公司（VIS）。
信越化學(xué)垂直GaN器件的制造示意圖如下所示：
信越化學(xué)表示，他們除了出售QST襯底外，還將響應(yīng)客戶需求出售GaN外延基本，目前可以提供6英寸和8英寸的陣容，未來還將擴(kuò)大到12英寸。
該公司還透露，自2021年以來，他們的日本本土和其他境外客戶一直在用他們的QST技術(shù)進(jìn)行功率器件、射頻器件和LED器件的技術(shù)開發(fā)，尤其是功率器件，許多客戶已經(jīng)對(duì)650—1800V不同等級(jí)的GaN器件進(jìn)行了持續(xù)的評(píng)估。
該公司表示，基于目前的開發(fā)結(jié)果和客戶的反饋，信越化學(xué)將繼續(xù)增加產(chǎn)能以響應(yīng)客戶需求。
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