JavaScript 混淆及反混淆代碼工具
介紹在我們開(kāi)始學(xué)習(xí)反混淆之前，我們首先要了解一下代碼混淆。如果不了解代碼是如何混淆的，我們可能無(wú)法成功對(duì)代碼進(jìn)行反混淆，尤其是使用自定義混淆器對(duì)其進(jìn)行混淆時(shí)。什么是混
△圖1:Mitsubushi iMiEV的系統(tǒng)圖，顯示了使用功率IC的模塊的位置。來(lái)源Wikimedia Commons，知識(shí)共享許可BY-SA 3.0
為了滿(mǎn)足對(duì)SiC日益增長(zhǎng)的需求，該行業(yè)需要提高產(chǎn)量。這意味著要解決長(zhǎng)期以來(lái)減緩S(chǎng)iC生產(chǎn)的制造挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)包括高昂的設(shè)備成本，以及缺陷和可靠性問(wèn)題。為了解決成本問(wèn)題，SiC襯底制造商正在從150毫米晶圓轉(zhuǎn)移到200毫米晶圓。然而，這種預(yù)期的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)給SiC器件的篩選帶來(lái)了挑戰(zhàn)，這將需要制造商、檢驗(yàn)和測(cè)試供應(yīng)商的創(chuàng)新。
NI的Heidemann表示：“這些寬帶隙器件在生產(chǎn)線(xiàn)末端（EoL，即在晶圓、封裝、模塊、系統(tǒng)的制造過(guò)程結(jié)束時(shí)進(jìn)行的測(cè)試）測(cè)試中帶來(lái)了獨(dú)特的挑戰(zhàn)，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的硅器件相比，它們表現(xiàn)出不同的失效機(jī)制和模型。” “此外，在高達(dá)2000伏或更高的可靠性和高壓環(huán)境中對(duì)它們進(jìn)行測(cè)試，對(duì)EoL測(cè)試系統(tǒng)來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些系統(tǒng)以前并不是為滿(mǎn)足這些要求而設(shè)計(jì)的。”
SiC的制造工藝有時(shí)會(huì)導(dǎo)致影響基本功能和性能的缺陷，因此需要進(jìn)行檢查和電氣測(cè)試。高壓和大電流測(cè)試需要精心設(shè)計(jì)的測(cè)試系統(tǒng)，既能提供必要的電流和電壓，又能在不可避免的短路發(fā)生時(shí)保護(hù)設(shè)備。
到目前為止，這種篩查一直在低量進(jìn)行。擴(kuò)大到更高的數(shù)量需要進(jìn)行有效和成本效益高的篩查創(chuàng)新。
檢驗(yàn)和計(jì)量方法
硅和SiC功率IC之間的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別與襯底的生長(zhǎng)有關(guān)。作為一種均勻的晶體結(jié)構(gòu)，硅幾乎沒(méi)有亞表面缺陷。相比之下，碳化硅是通過(guò)化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的，這會(huì)導(dǎo)致廣泛的亞表面缺陷，如堆疊缺陷和微管。在隨后的外延生長(zhǎng)過(guò)程中，晶體斷層可以傳播。此外，由于SiC是一種脆性材料，它更容易受到劃痕和凹坑等表面缺陷的影響，這些缺陷會(huì)影響整個(gè)芯片。
此外，SiC芯片在處理過(guò)程中容易斷裂，鋸切到模具中會(huì)引入更多的裂紋機(jī)會(huì)，這些裂紋可能會(huì)傳播。因此，在整個(gè)晶圓和組裝過(guò)程中進(jìn)行檢查是至關(guān)重要的。
由于其高通量，工程師在SiC制造過(guò)程中主要依賴(lài)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)。許多公司為SiC提供專(zhuān)業(yè)的光學(xué)檢測(cè)工具，包括審查和分類(lèi)功能。
計(jì)量就不那么簡(jiǎn)單了。計(jì)量反饋涉及工藝工程師需要測(cè)量的各種參數(shù)，包括襯底平面度和厚度、晶格取向、電阻和表面粗糙度。反過(guò)來(lái)，這些需要一套多樣化的系統(tǒng)。
Bruker白光干涉儀產(chǎn)品經(jīng)理Sandra Bergmann表示：“白光干涉儀（WLI）輪廓儀在基板制造商現(xiàn)場(chǎng)用于質(zhì)量保證/質(zhì)量控制，以測(cè)量Si、GaN和SiC的晶片粗糙度（亞nm）。” “SiC襯底的生產(chǎn)更具挑戰(zhàn)性。由于其硬度，拋光很困難。因此，WLI對(duì)于優(yōu)化/跟蹤拋光過(guò)程至關(guān)重要。”
SiC器件可以是基于平面或溝槽的技術(shù)。WLI對(duì)于溝槽深度測(cè)量特別有用。
Bergmann說(shuō)：“對(duì)于高壓IC工藝過(guò)程中的高縱橫比溝槽深度測(cè)量，WLI可以從2μm的開(kāi)口分辨到40μm的深度。”。“它是無(wú)損的，可以對(duì)視野內(nèi)的所有溝槽進(jìn)行平行檢查。我們通常使用5倍物鏡和0.5平方毫米的詢(xún)問(wèn)場(chǎng)。我們還提供整個(gè)視野內(nèi)溝槽深度的完全變化。”
晶片檢查需要同時(shí)考慮表面缺陷和亞表面缺陷，后者對(duì)SiC特別重要。
Onto Innovation負(fù)責(zé)檢測(cè)的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Burhan Ali表示：“光學(xué)檢測(cè)技術(shù)用于缺陷檢測(cè)，而X射線(xiàn)和光致發(fā)光用于計(jì)量。” “光學(xué)檢測(cè)面臨的挑戰(zhàn)是，它能有效地以高通量發(fā)現(xiàn)表面缺陷，但當(dāng)涉及到亞表面晶體缺陷時(shí)，它很快就會(huì)失去動(dòng)力。在這種情況下，光致發(fā)光技術(shù)在檢測(cè)SiC襯底和外延層上的亞表面晶體缺陷方面已經(jīng)證明是卓有成效的。”
在整個(gè)裝配過(guò)程中進(jìn)行檢查。由于高通量和低設(shè)備投資，光學(xué)是首選方法。但光學(xué)僅限于表面缺陷。對(duì)于檢測(cè)中等至高密度的亞表面缺陷，X射線(xiàn)是優(yōu)選的解決方案，因?yàn)樗梢栽?D中高速運(yùn)行。同時(shí)，聲學(xué)檢測(cè)可以很容易地檢測(cè)出分層，但需要將零件浸入水中。
Amkor Technology負(fù)責(zé)全球測(cè)試服務(wù)的副總裁George Harris表示：“手動(dòng)、光學(xué)和X射線(xiàn)檢查都是無(wú)損檢測(cè)方法。” “基本的X射線(xiàn)檢查有助于審查包裝的完整性。很大一部分系統(tǒng)缺陷模式很容易用X射線(xiàn)識(shí)別，因此深受客戶(hù)歡迎。根據(jù)客戶(hù)的要求，可以在專(zhuān)門(mén)的故障分析實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行包裝的破壞性機(jī)械橫截面和掃描電子顯微鏡檢查。”
檢查不限于電氣問(wèn)題。它還可用于識(shí)別可能影響熱管理的缺陷。
Nordson Test&Inspection的產(chǎn)品線(xiàn)總監(jiān)Brad Perkins表示：“在包裝領(lǐng)域，大多數(shù)電氣缺陷都與電線(xiàn)穿過(guò)/接觸成型過(guò)程并導(dǎo)致短路有關(guān)。”。“還需要考慮熱保護(hù)，這就是工程師檢查模具連接的原因，因?yàn)檫@是熱管理的一部分。過(guò)大的空隙、過(guò)高的空隙總百分比或足夠大的分層將導(dǎo)致模具中的熱點(diǎn)，從而導(dǎo)致過(guò)早故障。因?yàn)樵S多功率設(shè)備用于高可靠性應(yīng)用（汽車(chē)、火車(chē)、風(fēng)車(chē)等）故障的成本可能非常高，因此檢查可能導(dǎo)致過(guò)早現(xiàn)場(chǎng)故障的缺陷對(duì)制造商來(lái)說(shuō)非常有成本效益。”
△圖2：空隙檢查的X射線(xiàn)。Source Nordson測(cè)試與檢驗(yàn)
試驗(yàn)方法
SiC的批量生產(chǎn)相對(duì)較新，在汽車(chē)中的應(yīng)用也相對(duì)較新。因此，正在制定嚴(yán)格的測(cè)試流程，以確保質(zhì)量和可靠性。測(cè)試在多種溫度、電壓和頻率下進(jìn)行。這是至關(guān)重要的，因?yàn)槿毕菰谳^低的頻率和電壓下可能表現(xiàn)為良性，但隨后在較高的頻率和/或電壓下表現(xiàn)出來(lái)。
由于其模擬性質(zhì)，功率IC需要進(jìn)行功能和性能測(cè)試。對(duì)于功率IC，測(cè)試分為靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)試，即直流和交流。靜態(tài)測(cè)試在室溫下進(jìn)行，而動(dòng)態(tài)測(cè)試在高溫下進(jìn)行。
Advantest意大利公司董事總經(jīng)理Fabio Marino表示：“靜態(tài)測(cè)試不再是一個(gè)挑戰(zhàn)，因?yàn)楸粶y(cè)設(shè)備（DUT）是在穩(wěn)態(tài)下測(cè)試的。” “這意味著低功率。即使是超高壓，也是低電流，如果是超高電流，也是低電壓。工程界面臨的真正挑戰(zhàn)是動(dòng)態(tài)測(cè)試。動(dòng)態(tài)測(cè)試是非常高的功率，因?yàn)樗鼫y(cè)試DUT從ON到OFF狀態(tài)的轉(zhuǎn)換，反之亦然。這意味著在非常高的電壓下有非常高的電流在很短的時(shí)間內(nèi)，它處于極高的功率。”
在寬帶隙器件中觀(guān)察到的與柵極閾值漂移相關(guān)的可靠性問(wèn)題也推動(dòng)了嚴(yán)格的測(cè)試。
NI的Heidemann指出：“關(guān)于測(cè)試、鑒定和EoL，我們需要進(jìn)行更徹底的測(cè)試，并深入研究器件特性。例如，門(mén)漂移，一種寬帶隙器件特有的現(xiàn)象，在不同的市場(chǎng)參與者之間差異很大。有些在汽車(chē)的使用壽命內(nèi)表現(xiàn)出顯著的漂移，而另一些則表現(xiàn)出最小的漂移。”。“有趣的是，即使在同一供應(yīng)商內(nèi)部，不同設(shè)備的行為也可能不同。因此，更需要全面的測(cè)試，包括EoL和資格鑒定，這與硅世界相比要求更高。”
如今，芯片測(cè)試單元無(wú)法進(jìn)行動(dòng)態(tài)測(cè)試，因?yàn)樾酒ūP(pán)具有非常高的雜散電感。工程師們只使用晶圓類(lèi)的靜態(tài)測(cè)試。即使在那時(shí)，由于施加了高電壓，也有可能產(chǎn)生火花，損壞好的設(shè)備。
Teradyne電源分立產(chǎn)品經(jīng)理Tom Tran表示：“由于這是一個(gè)物理挑戰(zhàn)，多年來(lái)一直以同樣的方式處理——通過(guò)管理空氣間隙，當(dāng)然還有管理空氣。”。“隨著電壓開(kāi)始攀升至400V及以上，我們通常會(huì)看到從僅僅使用物理間距到通過(guò)緊貼晶圓的壓力室添加壓縮干空氣（CDA）的轉(zhuǎn)變。”
目前晶圓測(cè)試的局限性促使裸片測(cè)試的發(fā)展。
Advantest的Marino說(shuō)：“電源模塊是我們可以測(cè)試靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的最堅(jiān)固的封裝部件。” “但缺點(diǎn)是這些軟件包含多個(gè)開(kāi)關(guān)——6到48個(gè)。如果一個(gè)開(kāi)關(guān)壞了，那么你就把整個(gè)包裝都扔掉了，這是非常昂貴的。這就是為什么客戶(hù)轉(zhuǎn)向基板的中間測(cè)試，例如在最終組裝之前。所以它稍微便宜一點(diǎn)，但你仍然有6到48臺(tái)設(shè)備。突破性的創(chuàng)新是測(cè)試裸模。這會(huì)篩選每個(gè)開(kāi)關(guān)（靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)試）。只有組裝好的模具，客戶(hù)才能從組裝成本方面獲益。”
△圖3：測(cè)試插入跨越晶圓、芯片、封裝和電源模塊。來(lái)源：Advantest
裸片測(cè)試存在損壞探針卡和/或ATE的風(fēng)險(xiǎn)，如果發(fā)生故障的裸片吸收高電流。但工程師們已經(jīng)找到了解決這個(gè)問(wèn)題的方法。
馬里諾說(shuō)：“在向裸片過(guò)渡的過(guò)程中，CREA（現(xiàn)在是Advantest的一部分）專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)了一項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)——探針卡接口（PCI）。”。“這是一種檢測(cè)異常電流消耗的硬件和軟件算法。測(cè)試裸模的探針卡每個(gè)裸模有3000個(gè)針，因?yàn)槊總€(gè)針只能驅(qū)動(dòng)1安培。在測(cè)試儀和探針卡之間是PCI，一個(gè)硬件盒。PCI監(jiān)測(cè)探針卡中每個(gè)針或針組中的電流。如果電流分布或電流異常ent消耗（由于故障部件），PCI立即關(guān)閉電源。零件出現(xiàn)故障，但卡盤(pán)、探針卡和測(cè)試儀受到保護(hù)。”
△圖4：帶有和不帶有探針卡接口系統(tǒng)的測(cè)試系統(tǒng)之間的比較。來(lái)源：Advantest
一旦模具被組裝到封裝中，測(cè)試就可以篩選與封裝相關(guān)的缺陷以及在動(dòng)態(tài)測(cè)試中表現(xiàn)出來(lái)的缺陷。
Teradyne的Tran表示：“除了局部放電測(cè)試外，封裝特定的缺陷機(jī)制通常還通過(guò)從晶圓到封裝級(jí)別測(cè)試的行為變化來(lái)測(cè)試。” “雖然局部放電更多地關(guān)注封裝和材料方面，但電氣測(cè)試可以揭示封裝過(guò)程中的物理故障，如引線(xiàn)鍵合損壞導(dǎo)致的連續(xù)性錯(cuò)誤，或單體化過(guò)程造成的損壞。在檢查從晶片分類(lèi)到最終封裝測(cè)試的平均偏移和分布時(shí)，也可以進(jìn)行篩選。”
可靠性相關(guān)缺陷的檢測(cè)非常重要，現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)指導(dǎo)零件鑒定和生產(chǎn)制造的測(cè)試。
NI的Heidemann說(shuō)：“我們采用了各種測(cè)試方法來(lái)達(dá)到最終和資格認(rèn)證的目的。”。“在鑒定方面，JEDEC和ECPE的AQG324等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)定義了專(zhuān)門(mén)針對(duì)碳化硅的動(dòng)態(tài)測(cè)試場(chǎng)景，以引入具有不同失效模型的新材料。因此，鑒定需要大量的動(dòng)態(tài)測(cè)試，包括動(dòng)態(tài)H3TRB、DGS和DRB測(cè)試等，與IGBT相比，這些測(cè)試相對(duì)較新同樣，在生產(chǎn)線(xiàn)結(jié)束的環(huán)境中，可以觀(guān)察到各種各樣的動(dòng)態(tài)測(cè)試場(chǎng)景，不同的客戶(hù)會(huì)有所不同。然而，可以說(shuō)，線(xiàn)端測(cè)試廣泛涉及在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行的動(dòng)態(tài)測(cè)試。目標(biāo)是確保這些設(shè)備經(jīng)過(guò)動(dòng)態(tài)測(cè)試，以防止在整個(gè)生產(chǎn)系列中出現(xiàn)故障影響。”
未來(lái)發(fā)展
為了滿(mǎn)足對(duì)SiC器件的需求，晶圓廠(chǎng)正在從150毫米晶圓轉(zhuǎn)移到200毫米晶圓。對(duì)于支持產(chǎn)能增加行業(yè)的測(cè)試和檢查流程，專(zhuān)家們列舉了一些可能有所幫助的創(chuàng)新。從測(cè)試系統(tǒng)的變化到使用分析來(lái)更好地理解檢查過(guò)程中觀(guān)察到的缺陷的電氣影響，這些都有。
測(cè)試系統(tǒng)的創(chuàng)新可以在制造流程的早期轉(zhuǎn)移篩選能力，并提高吞吐量。一個(gè)這樣的創(chuàng)新將是晶片卡盤(pán)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的動(dòng)態(tài)測(cè)試。這需要將卡盤(pán)雜散電感從600μH減小到小于100μH。
目前，包測(cè)試支持僅用于單站點(diǎn)測(cè)試。測(cè)試單元使用一個(gè)大型搬運(yùn)器，在幾個(gè)測(cè)試儀之間移動(dòng)零件，每個(gè)測(cè)試儀在特定溫度下運(yùn)行，并運(yùn)行動(dòng)態(tài)或靜態(tài)測(cè)試。轉(zhuǎn)向多站點(diǎn)測(cè)試將降低總體成本。然而，并行運(yùn)行高能測(cè)試是一個(gè)巨大的工程挑戰(zhàn)。這需要ATE設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。
一個(gè)意想不到的缺口是處理器的可用性，尤其是裸片。
馬里諾說(shuō)：“最大的挑戰(zhàn)來(lái)自裝卸工方面。我們市場(chǎng)上沒(méi)有足夠的裝卸工供應(yīng)商或裝卸工。” “處理器公司宣布一年以上的交付周期，而我們的運(yùn)營(yíng)周期為四個(gè)月。因此，市場(chǎng)窗口面臨風(fēng)險(xiǎn)。這就是為什么我們要求探測(cè)器供應(yīng)商參與進(jìn)來(lái)。探測(cè)器公司有相同的核心業(yè)務(wù)——半導(dǎo)體。但自動(dòng)化公司有多種行業(yè)需要支持，從手表組裝到半導(dǎo)體。”
以一致的方式連接來(lái)自各個(gè)制造步驟的數(shù)據(jù)也可以?xún)?yōu)化制造過(guò)程并了解缺陷影響。
Amkor的Harris說(shuō)：“由于測(cè)試站專(zhuān)門(mén)用于完整測(cè)試列表的特定部分，數(shù)據(jù)完整性很重要。”。“最近有人推動(dòng)將收集到的數(shù)據(jù)遷移到內(nèi)聯(lián)網(wǎng)上云，在那里，數(shù)據(jù)分析算法不斷測(cè)試工作流程、測(cè)試設(shè)備、系統(tǒng)封裝和制造相關(guān)的故障機(jī)制。工廠(chǎng)自動(dòng)化允許閉環(huán)控制，并提高產(chǎn)量。光學(xué)和電子技術(shù)都用于單元級(jí)可追溯性。“
這種數(shù)據(jù)連接將使SiC制造能夠加速產(chǎn)量學(xué)習(xí)并降低總體測(cè)試成本。
PDF Solutions產(chǎn)品管理總監(jiān)Steve Zamek表示：“總的來(lái)說(shuō)，化合物半導(dǎo)體技術(shù)——無(wú)論是SiC、GaN、GaAs、InP還是其他技術(shù)——都是多年前硅的所在。要獲得低成本、無(wú)缺陷的8英寸襯底，可能需要數(shù)年的努力和投資。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，襯底和外延晶片的質(zhì)量仍然是人們關(guān)注的問(wèn)題。”。“發(fā)現(xiàn)和識(shí)別基板缺陷只是第一步。接下來(lái)是將所有數(shù)據(jù)類(lèi)型——缺陷檢查和審查、在線(xiàn)計(jì)量和電氣測(cè)試數(shù)據(jù)——聚集在一個(gè)平臺(tái)上。這是一個(gè)不小的問(wèn)題，因?yàn)檫@些數(shù)據(jù)是在地理位置分散的工廠(chǎng)和工具中獲取的。但一旦完成這一步，制造商就能夠建立預(yù)測(cè)分析模型最大化效率。那些更快到達(dá)那里的人將獲得好處。”
其他人則認(rèn)為，實(shí)現(xiàn)可追溯性并非易事。對(duì)于功率IC，沒(méi)有電子ID，因此在組裝和測(cè)試過(guò)程中，可追溯性是一個(gè)挑戰(zhàn)。
DR Yield首席執(zhí)行官Dieter Rathei指出：“在有設(shè)備ID的后端設(shè)備中，可以進(jìn)行跟蹤。”。“但很多設(shè)備在與晶圓分離后失去了設(shè)備級(jí)的可追溯性。然后你會(huì)看到設(shè)備分批混合的情況。除非你知道哪個(gè)晶圓被放入哪個(gè)批次，否則晶圓和封裝之間的數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)是不可能的。”
結(jié)論
電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)量的預(yù)期增長(zhǎng)給負(fù)責(zé)SiC IC生產(chǎn)的工程團(tuán)隊(duì)帶來(lái)了挑戰(zhàn)。需求推動(dòng)了從150毫米到200毫米晶圓生產(chǎn)的變化，也強(qiáng)調(diào)了當(dāng)前的檢查和測(cè)試過(guò)程。許多人指出，SiC技術(shù)的成熟程度是三十年前硅技術(shù)的成熟度。隨著技術(shù)的成熟以滿(mǎn)足需求，工程團(tuán)隊(duì)將需要通過(guò)改進(jìn)測(cè)試系統(tǒng)和更改來(lái)解決缺陷，從而減少測(cè)試和檢查過(guò)程的吞吐量。
編譯：芯智訊-林子 來(lái)源：semiengineering
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