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SK海力士展示世界首款321層NAND閃存芯片樣品

來源: 責編: 時間:2023-11-30 09:28:03 289觀看
導讀韓國SK集團旗下子公司SK Material Performance (SKMP)成功開發出一款高厚度KrF光刻膠,并通過了SK海力士的性能驗證。這款光刻膠的厚度為14~15微米,與東進半導體向三星供應的產品類似,而日本JSR公司的類似產品厚度僅為10

韓國SK集團旗下子公司SK Material Performance (SKMP)成功開發出一款高厚度KrF光刻膠,并通過了SK海力士的性能驗證。這款光刻膠的厚度為14~15微米,與東進半導體向三星供應的產品類似,而日本JSR公司的類似產品厚度僅為10微米。這種光刻膠對于提高3D NAND閃存工藝處理效率有很大幫助,但更高的厚度也意味著技術難度更高。cPY28資訊網——每日最新資訊28at.com


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由于化學材料的粘性可能導致涂層表面不平整,東進半導體目前仍是這類產品的唯一供應商。然而,隨著SKMP加入競爭,SK海力士將能夠用這款KrF光刻膠生產238層3D NAND閃存。SKMP很可能取代日本JSR的主導地位,成為其主要的供應商。cPY28資訊網——每日最新資訊28at.com


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目前,SK海力士238層3D NAND閃存晶圓的月產能約為5000片,預計未來將進一步提升產能,從而帶動SKMP公司光刻膠的銷量。此外,SK海力士還展示了世界首款321層NAND閃存芯片樣品,預計產品將于2025年量產。cPY28資訊網——每日最新資訊28at.com


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