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AI芯片革命:三星揭曉GDP戰(zhàn)略

來源: 責編: 時間:2023-11-28 17:12:42 289觀看
導讀三星電子(Samsung Electronics)在近期的一次投資者論壇活動中,向外界透露了其2024年的半導體新戰(zhàn)略——GDP。該戰(zhàn)略將圍繞環(huán)繞式閘極(GAA)技術(shù)、DRAM存儲器以及先進封裝服務(wù)展開。據(jù)報道,三星的GDP戰(zhàn)略旨在通過減少3納米以

三星電子(Samsung Electronics)在近期的一次投資者論壇活動中,向外界透露了其2024年的半導體新戰(zhàn)略——GDP。該戰(zhàn)略將圍繞環(huán)繞式閘極(GAA)技術(shù)、DRAM存儲器以及先進封裝服務(wù)展開。uyi28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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據(jù)報道,三星的GDP戰(zhàn)略旨在通過減少3納米以下處理器漏電流的GAA技術(shù)、推出新一代DRAM產(chǎn)品以及提供先進的封裝服務(wù)來提高半導體業(yè)務(wù)的競爭力。在3納米晶圓代工制程方面,三星計劃對GAA技術(shù)進行改進,以更好地應(yīng)對漏電流問題。此外,該公司還計劃在2024年推出低延遲帶寬(LLW)DRAM,這種新型DRAM的電力使用效率較傳統(tǒng)DRAM大幅提升70%。uyi28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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同時,三星還計劃發(fā)布先進的3D芯片封裝技術(shù),包括最先進的3.5D封裝。這些封裝技術(shù)將瞄準人工智能(AI)半導體爆發(fā)式商機。三星希望通過將兩種芯片封裝在一起,提供超低功耗和高效能,成為GDP戰(zhàn)略的核心。具體來說,三星計劃在2024年推出新一代LLW DRAM,這種處理器的數(shù)據(jù)處理速度和容量都將更高。與現(xiàn)有移動產(chǎn)品DRAM相比,LLW DRAM的電源使用效率提高了70%,并計劃用于三星正在開發(fā)的XR裝置。uyi28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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業(yè)界分析認為,三星的GDP戰(zhàn)略主要瞄準AI半導體市場。除了提升產(chǎn)品效能外,該公司還計劃在生產(chǎn)成本方面優(yōu)于競爭對手。市場調(diào)研機構(gòu)Omdia的數(shù)據(jù)顯示,2023年AI半導體市場規(guī)模約為553億美元,預計到2027年將增長至1,120億美元。uyi28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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另外有消息稱,三星正計劃將自家開發(fā)的AI模型三星高斯(Samsung Gauss)整合到下一代旗艦手機Galaxy S24系列中。此外,該公司還與特斯拉展開合作,為Level 5自駕車開發(fā)下一代全自駕(FSD)芯片。這些舉措充分表明三星在AI領(lǐng)域的雄心壯志和戰(zhàn)略布局。uyi28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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三星的GDP戰(zhàn)略展示了其在半導體領(lǐng)域的創(chuàng)新力和前瞻性。通過加強前沿技術(shù)的研發(fā)和推出高效的產(chǎn)品和服務(wù),三星正積極應(yīng)對AI市場的挑戰(zhàn)并把握機遇。隨著技術(shù)的不斷進步和市場的發(fā)展,我們有理由相信三星將在AI芯片領(lǐng)域取得重要的突破和成就。uyi28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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