ictimes消息，天眼查顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司成功獲授權了一項名為“半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法”的專利，該專利的授權公告日為11月17日，授權公告號為CN113921595B。專利摘要揭示了一種創(chuàng)新的半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，為半導體領域帶來了新的技術突破。V5n28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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該半導體結(jié)構(gòu)包括多個關鍵組成部分，首先是摻雜有第一離子的襯底，為整個結(jié)構(gòu)奠定了基礎。在襯底內(nèi)，深溝結(jié)構(gòu)的存在進一步豐富了半導體的形態(tài)，為電子元件的性能提供了更多可能。在襯底和深溝結(jié)構(gòu)的頂部，阻擋摻雜區(qū)的設置有助于調(diào)控電子流的傳輸，提高了半導體器件的整體效能。V5n28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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值得注意的是，半導體結(jié)構(gòu)中還涉及到第一外延層、體區(qū)、源區(qū)以及柵極結(jié)構(gòu)等關鍵元素。這些組件的有機結(jié)合使得半導體器件在性能和功能上都取得了顯著的提升。特別是，柵極結(jié)構(gòu)的巧妙設計，使其既能與深溝結(jié)構(gòu)相鄰，又能與體區(qū)和源區(qū)表面相互接觸，為電子元件的精密控制提供了更多可能性。V5n28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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專利摘要中還提到了集電區(qū)，其位于襯底底部，與深溝結(jié)構(gòu)的底部之間被襯底間隔。這一設計考慮到了電子元件的整體結(jié)構(gòu)，通過巧妙的排列，進一步提升了半導體器件的隔離性能和穩(wěn)定性。V5n28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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總體而言，通過這項半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法的專利，上海華虹宏力半導體制造有限公司在絕緣柵雙極型晶體管的性能上取得了顯著的突破。這一創(chuàng)新將有望推動半導體行業(yè)的發(fā)展，并為未來的電子器件提供更為高效和可靠的解決方案。V5n28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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