據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)內(nèi)部文件披露,該公司正積極研發(fā)下一代3D NAND儲(chǔ)存架構(gòu)——Xtacking 4.0。消息透露,Xtacking 4.0系列包含128層X(jué)4-9060 3D TLC和232層X(jué)4-9070 3D TLC NAND裝置,旨在打造最先進(jìn)的固態(tài)硬盤(pán)。
Xtacking 4.0的兩款裝置目前并未計(jì)劃增加層數(shù),但隨著時(shí)間推移,該系列或?qū)碛懈鼜V泛的應(yīng)用。據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃采用串堆疊技術(shù)對(duì)這兩種裝置進(jìn)行處理,生產(chǎn)64層和116層的3D NAND陣列,而無(wú)需違反美國(guó)的出口規(guī)定。
盡管目前尚不清楚Xtacking 4.0的具體優(yōu)勢(shì),但每一次新節(jié)點(diǎn)的推出都將提升數(shù)據(jù)傳輸速率和儲(chǔ)存密度。受制于美國(guó)的出口禁令,長(zhǎng)江存儲(chǔ)未能獲得全部所需工具,然而,Xtacking 4.0或能在一定程度上解決這一局限性。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)Xtacking 3.0架構(gòu)成功量產(chǎn)232層3D TLC NAND存儲(chǔ)器已有一年有余,最近推出了128層3D TLC和232層3D QLC產(chǎn)品,擴(kuò)展了Xtacking 3.0系列產(chǎn)品線。Xtacking 3.0系列采用串堆疊和混合鍵合技術(shù),CMOS芯片部分則采用相對(duì)較老的工藝。這一創(chuàng)新的Xtacking 4.0系列標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND儲(chǔ)存領(lǐng)域的技術(shù)突破。
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