ictimes消息,三菱電機集團于2023年11月13日宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開拓電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。此次合作中,三菱電機將運用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)協(xié)助Nexperia開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片,以推動SiC分立器件的創(chuàng)新發(fā)展。
全球電動汽車市場的不斷擴大,預(yù)示著SiC功率半導(dǎo)體將迎來指數(shù)級增長。相比傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體,SiC功率半導(dǎo)體具有更低的損耗、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度,其高效率有望為全球脫碳和綠色轉(zhuǎn)型產(chǎn)生積極影響。
三菱電機在高速列車、高壓工業(yè)應(yīng)用和家用電器等領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,自2010年以來一直致力于開發(fā)和制造SiC功率半導(dǎo)體。該公司成功推出用于空調(diào)的SiC功率模塊,并在2015年成為新干線子彈頭列車全SiC功率模塊的首家供應(yīng)商。憑借豐富的專業(yè)技術(shù)和卓越的性能表現(xiàn),三菱電機的SiC功率模塊在市場上具有高度可靠性。
三菱電機期待能進一步深化與Nexperia的合作伙伴關(guān)系。Nexperia在各種分立器件的設(shè)計、制造、品質(zhì)保證和供應(yīng)方面擁有豐富的經(jīng)驗,其器件廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動和消費市場,為推動低碳和可持續(xù)發(fā)展做出貢獻。三菱電機將繼續(xù)致力于提高其SiC芯片的性能和質(zhì)量,并專注于功率模塊的開發(fā)與創(chuàng)新。
Nexperia雙極性分立器件事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Mark Roeloffzen與三菱電機半導(dǎo)體執(zhí)行官兼集團總裁Takemi Masayoshi共同表示,他們都非常高興能夠達成這種共同開發(fā)合作伙伴關(guān)系,這將充分利用兩家公司的半導(dǎo)體技術(shù)。
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