ictines消息,在DRAM和NAND Flash市場反彈之后,DDR3利基型存儲在國際大廠對高頻寬存儲(HBM)和DDR5等高端應用的全力沖擊下,空出了DDR3市場,從而推動了DDR3芯片價格的短期快速上漲。
預計本季度合約價將強勁增長10%至15%,而明年第一季度將繼續看漲。華邦、鈺創、晶豪科等廠商近期收到了大量訂單,并開始加大備貨力度,以抓住漲價帶來的商機。
據法人指出,盡管標準型DRAM和NAND芯片目前主要由三星、SK海力士、美光等國際大廠主導,但中國臺灣廠商在芯片制造端無法與它們抗衡。然而,模組廠有望以低價庫存優勢搭上DRAM和NAND芯片市場反彈的列車。而在DDR3制造方面,則是中國臺灣廠商的天下。隨著DDR3價格上漲,對中國臺灣芯片廠商的幫助更大。
業界人士分析,這波存儲市場轉揚的主要原因是國際大廠陸續減產的效益發酵。近期隨著產能緊縮,廠商更嚴格控制出貨,以支撐價格上漲的決心。
另外,三星、SK海力士和美光都在積極拓展AI應用領域,將主要生產能力轉移到生產高頻寬芯片、DDR5等高端產品上。這也為DDR3市場創造了空間,近期客戶庫存回補以及消費性電子產品的緊急訂單使得DDR3價格持續上漲。
鈺創預測,隨著庫存消耗的結束,“行業周期的谷底已經過去”,現在正朝著復蘇的方向邁進。他們樂觀地預計明年全球DRAM市場將迎來顯著的成長。
晶豪科也在不斷推進自家產品的研發進程,無論是在DRAM、Flash還是MCP產品領域,都持續開發新品并涉足不同的市場,包括加速19納米DRAM存儲IC的研發、完成28納米Nand Flash產品的量產,以及研發車規用的利基型存儲IC產品。
華邦總經理陳沛銘也表示,本季度公司的運營情況將優于第3季度,并對明年的DRAM市場持樂觀態度。
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