據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子計(jì)劃在今年下半年投資擴(kuò)大華城與平澤地區(qū)的1c DRAM（第6代10納米級DRAM）產(chǎn)能。這一計(jì)劃的實(shí)施，將為三星電子在高帶寬存儲器（HBM4）領(lǐng)域的競爭力提供重要支撐。
今年早些時候，三星電子已在平澤第四園區(qū)（P4）啟動了第一條1c DRAM量產(chǎn)線的建設(shè)。當(dāng)時規(guī)劃的月產(chǎn)能為3萬片，但目前三星正考慮追加投資，預(yù)計(jì)下半年將產(chǎn)能提升至每月至少4萬片。與此同時，三星電子還計(jì)劃在其華城工廠的17號生產(chǎn)線引入1c DRAM技術(shù)。此前，該生產(chǎn)線主要用于生產(chǎn)1z（10納米級第三代）DRAM，但隨著傳統(tǒng)工藝需求的下降，三星正逐步將資源轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的制程。
據(jù)分析，三星電子在HBM4的商業(yè)化進(jìn)程中面臨一定挑戰(zhàn)，因此選擇通過大規(guī)模量產(chǎn)1c DRAM來鞏固其技術(shù)領(lǐng)先地位。與SK海力士和美光等競爭對手采用1b DRAM作為HBM4的基礎(chǔ)不同，三星電子決定直接應(yīng)用更先進(jìn)的1c DRAM技術(shù)。

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