據(jù)“深圳平湖實驗室”官微消息，2025年九峰山論壇（JFSC）暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE）期間，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺全面展示了其科研、設(shè)計仿真、中試及分析檢測能力。同時，該平臺還推出了一系列自主研發(fā)的產(chǎn)品，包括8英寸SiC激光剝離襯底及復(fù)合襯底、1200V SiC外延及厚膜外延、650V GaN HEMT器件、1200V 80mΩ SiC MOSFET器件以及1200V 20A SiC SBD器件。
2024年11月，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺正式建成并發(fā)布。目前，該平臺在碳化硅、氧化鎵等領(lǐng)域取得了重要進展。
SiC襯底激光剝離技術(shù)進展
SiC材料的莫氏硬度高達9.5，加工難度極大。以一顆厚度為20毫米的SiC晶錠為例，單片損失按300微米計算，理論上可產(chǎn)出30片晶片，但單片材料損耗率高達46%。為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術(shù)研究部開發(fā)了激光剝離工藝，以替代傳統(tǒng)的多線切割工藝。其工藝流程如下圖所示：
圖源：深圳平湖實驗室
激光剝離工藝與多線切割工藝的對比顯示，前者在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著優(yōu)勢，其推廣對加速8英寸SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化進程具有重要意義。
氧化鎵材料研究突破
氧化鎵因其超寬帶隙（4.9電子伏）和成熟的制備方法，被認(rèn)為是功率器件的理想材料。然而，其價帶頂能級低、p型摻雜困難等問題限制了其應(yīng)用。深圳平湖實驗室第四代材料與器件課題組通過銠固溶方式，開發(fā)了一種新型β相銠鎵氧三元寬禁帶半導(dǎo)體。該研究成果已發(fā)表于《Advanced Electronic Materials》期刊，并被收錄到《Progress and Frontiers in Ultrawide bandgap Semiconductors》專題。
研究顯示，銠固溶氧化鎵具有較高的穩(wěn)定性，其價帶頂能級較氧化鎵顯著上升，且價帶頂附近的能帶色散曲率增加，有助于實現(xiàn)p型摻雜。銠摩爾比為25%時，其空穴有效質(zhì)量僅為氧化鎵的52.3%，這為改進器件性能和擴展材料應(yīng)用范圍提供了新的可能性。
圖源：深圳平湖實驗室

本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-27-147941-0.html國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳平臺展示多項自研成果

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 東尼電子因信披違規(guī)被證監(jiān)會立案調(diào)查，公司稱經(jīng)營正常

下一篇： 特斯拉秘密測試自動駕駛，計劃6月推出服務(wù)