據(jù)韓媒Financial News報(bào)道，三星電子正計(jì)劃通過(guò)新成立的任務(wù)小組（TF），加速第七代DRAM（1d DRAM）的量產(chǎn)進(jìn)程，為高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)反攻奠定基礎(chǔ)。此舉被視為三星重拾技術(shù)優(yōu)勢(shì)、搶回全球DRAM市場(chǎng)第一寶座的重要舉措。
調(diào)研機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2025年第一季度，三星在全球DRAM市場(chǎng)的市占率約為34%，落后于SK海力士的36%。面對(duì)這一局面，三星顯然希望通過(guò)次世代存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，扭轉(zhuǎn)競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì)。據(jù)悉，三星半導(dǎo)體暨裝置解決方案（DS）部門(mén)的存儲(chǔ)器事業(yè)部已新設(shè)制程架構(gòu)（PA）TF，專門(mén)負(fù)責(zé)1d DRAM量產(chǎn)前的準(zhǔn)備工作，并持續(xù)擴(kuò)充團(tuán)隊(duì)規(guī)模。
高性能DRAM已成為HBM市場(chǎng)的關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)點(diǎn)。例如，第六代HBM（HBM4）的量產(chǎn)離不開(kāi)高效能DRAM的支持。因此，三星此次成立專項(xiàng)小組，旨在加速次世代DRAM技術(shù)的成熟與量產(chǎn)，以搶占HBM市場(chǎng)先機(jī)。
此外，三星還通過(guò)半導(dǎo)體研究所的團(tuán)隊(duì)，專注于10納米以下先進(jìn)制程的研發(fā)。業(yè)內(nèi)人士指出，三星正面臨技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)壓力，尤其在良率提升方面存在挑戰(zhàn)。此次集結(jié)人力推進(jìn)1d DRAM量產(chǎn)，表明其技術(shù)已達(dá)到一定成熟度。
盡管三星計(jì)劃在2026年量產(chǎn)1d DRAM，并于2027年推出10納米以下的第一代DRAM（D0a），但業(yè)界對(duì)其能否成功扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)仍持觀望態(tài)度。截至目前，尚未有企業(yè)完成第七代DRAM的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)。
對(duì)于相關(guān)傳聞，三星表示，不對(duì)市場(chǎng)猜測(cè)發(fā)表評(píng)論。

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