據韓媒朝鮮日報報道，聯合電子設備工程委員會（JEDEC）近期在官網公布了第六代高帶寬存儲器（HBM4）的標準規格，其中HBM4的平均高度被設定為775微米（μm），高于最初討論的720μm。這一調整為三星電子和SK海力士減輕了技術導入壓力，使其能夠利用現有DRAM堆疊技術實現HBM4的量產。
三星與SK海力士計劃在2025年下半年正式量產HBM4。目前，SK海力士已于2025年3月向主要客戶提供了12層HBM4樣品，而三星也計劃從2025年下半年開始量產。此外，美光（Micron）同樣預計將通過優化現有制程參與HBM4的市場競爭。
JEDEC還規定了HBM4的帶寬為每秒最高2TB（Terabyte），并明確了制造HBM4所需的DRAM堆疊層數，分別為4層、8層、12層和16層。SK海力士此前提供的12層HBM4樣品已完全符合這一標準。
過去曾有預測認為，三星與SK海力士可能需要提前導入“混合鍵合（Hybrid Bonding）”等新技術以滿足原定的720μm高度標準。但JEDEC最終采納了業界意見，將高度放寬至775μm，從而避免了新技術導入的緊迫性。這一調整或將加劇HBM4市場的競爭態勢。

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