3月14日，英飛凌在2025消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025）上，圍繞AI、機器人、邊緣計算及氮化鎵應用等熱點話題展開深入探討。會上，英飛凌首次在中國展示了兩款突破性技術成果——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓。
英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁潘大偉參觀兩款首次在中國實體展示的晶圓
英飛凌在氮化鎵技術領域取得顯著進展，其300mm氮化鎵功率半導體晶圓已實現量產突破。新一代中壓CoolGaN?器件將系統效率提升至96%，大幅降低數據中心、電信及家電領域的能耗與成本。此外，英飛凌推出的20μm超薄硅晶圓技術，顯著提高了功率轉換解決方案的能效、功率密度和可靠性，為行業(yè)帶來全新技術選擇。
在硅基半導體領域，英飛凌發(fā)布了CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET系列產品，覆蓋從低功率到高功率的消費類和工業(yè)應用。作為寬禁帶半導體的高性價比替代方案，CoolMOS? 8不僅提升了功率密度，還確保了器件的可靠性，同時兼容CoolMOS? 7，支持600V和650V兩種電壓等級。
此外，英飛凌還推出了PSOC? Control C3 MCU，這是一款基于Arm? Cortex?-M33的高性能微控制器，頻率最高可達180MHz。在ModusToolbox?工具和軟件的支持下，該產品為電機控制和功率轉換系統提供了高效、可靠且安全的解決方案，適用于家用電器、智能家居及光伏逆變器等場景。
英飛凌將機器人視為未來高增長潛力的核心領域，提供從電源產品、傳感器、微控制器到連接芯片和電機驅動的全棧解決方案。其創(chuàng)新技術賦能機器人實現智能化、高效化和輕量化。例如，基于CoolGaN?的驅動系統使雙足機器人的動態(tài)響應速度提升25-50%。據英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁潘大偉介紹，氮化鎵技術在機器人關節(jié)中的應用可顯著縮小系統體積、減輕重量，并延長電池續(xù)航能力。

英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁潘大偉表示，2025年是英飛凌進入中國市場的30周年。未來，英飛凌將繼續(xù)深化“在中國、為中國”的本土化戰(zhàn)略，圍繞運營、創(chuàng)新、生產及生態(tài)等方面，為客戶創(chuàng)造更多價值。英飛凌計劃擴大MCUs、MOSFETs等通用半導體產品的本地化生產，以滿足新能源、汽車、工業(yè)控制及消費電子等領域的需求。
英飛凌還與本土企業(yè)合作開發(fā)定制化方案，如為某頭部企業(yè)設計的模塊化關節(jié)控制器，集成驅動、傳感與安全功能，成本降低20%。通過全流程支持，英飛凌助力客戶加速產品上市周期，推動機器人、AI數據中心及邊緣計算等領域的創(chuàng)新發(fā)展。

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