北京科技大學(xué)近期舉行了未來技術(shù)學(xué)院、前沿交叉科學(xué)技術(shù)研究院及未來芯片關(guān)鍵材料與技術(shù)集成創(chuàng)新中心的揭牌儀式。這三家機(jī)構(gòu)將致力于推進(jìn)人才培養(yǎng)、科學(xué)研究和平臺(tái)建設(shè)一體化發(fā)展模式，旨在打造世界一流的前沿交叉科學(xué)研究平臺(tái)和領(lǐng)軍人才培養(yǎng)基地，搶占未來科技戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
據(jù)資料顯示，近年來北京科技大學(xué)在芯片領(lǐng)域?qū)耀@突破。今年年初，張躍院士與張錚教授團(tuán)隊(duì)在《Nature Materials》期刊發(fā)表重要研究成果。團(tuán)隊(duì)提出了一種名為“二維Czochralski（2DCZ）”的方法，能夠在常壓下快速生長(zhǎng)出厘米級(jí)、無晶界的單晶MoS2晶疇。這些單晶MoS2展現(xiàn)出卓越的均勻性和高質(zhì)量，缺陷密度極低，為下一代集成電路制造提供了重要材料基礎(chǔ)。相關(guān)成果以“Two-dimensional Czochralski growth of single-crystal MoS2”為題于2025年1月10日發(fā)表，第一作者為姜鶴博士。
此外，去年7月，北京科技大學(xué)與新紫光集團(tuán)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將圍繞先進(jìn)制程集成電路的前瞻技術(shù)和關(guān)鍵核心技術(shù)研究展開合作，共同建設(shè)“二維材料與器件集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”和“8英寸二維半導(dǎo)體晶圓制造與集成創(chuàng)新中心”等高水平研發(fā)平臺(tái)，重點(diǎn)突破二維半導(dǎo)體材料制備、關(guān)鍵裝備研發(fā)及集成制造工藝技術(shù)等難題，推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研深度融合。

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