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北京科技大學在芯片領域取得多項突破

來源:icspec 責編: 時間:2025-04-01 07:11:02 21觀看
導讀北京科技大學近期舉行了未來技術學院、前沿交叉科學技術研究院及未來芯片關鍵材料與技術集成創新中心的揭牌儀式。這三家機構將致力于推進人才培養、科學研究和平臺建設一體化發展模式,旨在打造世界一流的前沿交叉科學
北京科技大學近期舉行了未來技術學院、前沿交叉科學技術研究院及未來芯片關鍵材料與技術集成創新中心的揭牌儀式。這三家機構將致力于推進人才培養、科學研究和平臺建設一體化發展模式,旨在打造世界一流的前沿交叉科學研究平臺和領軍人才培養基地,搶占未來科技戰略制高點。
據資料顯示,近年來北京科技大學在芯片領域屢獲突破。今年年初,張躍院士與張錚教授團隊在《Nature Materials》期刊發表重要研究成果。團隊提出了一種名為“二維Czochralski(2DCZ)”的方法,能夠在常壓下快速生長出厘米級、無晶界的單晶MoS2晶疇。這些單晶MoS2展現出卓越的均勻性和高質量,缺陷密度極低,為下一代集成電路制造提供了重要材料基礎。相關成果以“Two-dimensional Czochralski growth of single-crystal MoS2”為題于2025年1月10日發表,第一作者為姜鶴博士。
此外,去年7月,北京科技大學與新紫光集團簽署戰略合作協議。雙方將圍繞先進制程集成電路的前瞻技術和關鍵核心技術研究展開合作,共同建設“二維材料與器件集成技術聯合研發中心”和“8英寸二維半導體晶圓制造與集成創新中心”等高水平研發平臺,重點突破二維半導體材料制備、關鍵裝備研發及集成制造工藝技術等難題,推動產學研深度融合。

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