自2025年1月以來，全球NAND閃存市場迎來了顯著的價格上漲趨勢。據(jù)消息透露，包括SanDisk、Micron、Samsung Electronics和SK Hynix在內(nèi)的主要制造商，已宣布從4月起上調(diào)產(chǎn)品報價，漲幅預(yù)計(jì)超過10%。這一變化主要得益于市場需求的逐步回暖，尤其是消費(fèi)電子和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的強(qiáng)勁復(fù)蘇。
消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)正逐步走出低谷，邊緣人工智能技術(shù)的快速發(fā)展推動了AI PC和AI手機(jī)等產(chǎn)品的需求增長。與此同時，數(shù)據(jù)中心和AI相關(guān)應(yīng)用的持續(xù)擴(kuò)張，以及廠商通過控制產(chǎn)能穩(wěn)定價格的策略，共同推動了存儲器及NAND相關(guān)股票的觸底反彈。美光作為行業(yè)龍頭，已率先宣布全面提價，其樂觀評估顯示，今明兩年存儲器行業(yè)將迎來顯著增長。
在中國臺灣，南亞科和華邦電等存儲器公司也因美光的提價策略而受益。據(jù)機(jī)構(gòu)分析，此次漲價不僅涉及現(xiàn)貨市場，還涵蓋尚未確定價格的合約訂單。若需求超出預(yù)期，美光可能進(jìn)一步提高價格或收取加急費(fèi)用。過去十年間，存儲器廠商很少全面提價，這標(biāo)志著從第二季度開始，市場將正式進(jìn)入賣方主導(dǎo)階段，AI應(yīng)用需求成為推動存儲器產(chǎn)業(yè)脫離傳統(tǒng)周期模式的關(guān)鍵因素。
需求端方面，得益于中國消費(fèi)刺激政策的推動，PC和智能手機(jī)的DRAM/NAND庫存已恢復(fù)至正常水平（約7.5周）。高端游戲PC的需求也在逐步回升。預(yù)計(jì)第二季度DDR5現(xiàn)貨和合約價格將季增3~5%，而NAND現(xiàn)貨價格有望季增0~3%。此外，下半年NAND Flash現(xiàn)貨和合約價格可能進(jìn)一步增長15~20%。
分析師指出，美光再次上調(diào)HBM TAM至350億美元，并計(jì)劃在第二季度將產(chǎn)品從HBM3e-8Hi遷移至HBM3E-12hi，這將進(jìn)一步推動其DRAM業(yè)務(wù)的量價齊升。隨著明年HBM4消耗的D5投片量增加，DDR5/LPD5x供不應(yīng)求的局面可能進(jìn)一步加劇。

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