近期，晶馳機電和臻晶半導(dǎo)體兩家企業(yè)相繼傳來好消息，分別在電阻法和液相法碳化硅晶體生長技術(shù)上取得重要進展。
據(jù)晶馳機電官微3月24日消息，該公司自主研發(fā)的“電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備”在今年3月成功完成了十二寸多晶生長驗證。這一成果為第三代半導(dǎo)體材料的低成本擴徑量產(chǎn)提供了全新解決方案。晶馳機電表示，該設(shè)備可通過創(chuàng)新熱場方案實現(xiàn)同一臺設(shè)備穩(wěn)定量產(chǎn)八寸和十二寸碳化硅單晶，晶錠形態(tài)完美，表面微凸度控制在2.4mm以內(nèi)，突破了多尺寸生長技術(shù)的壁壘。
晶馳機電是浙江大學(xué)杭州科創(chuàng)中心孵化的企業(yè)，其產(chǎn)品覆蓋第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備，包括碳化硅晶體生長設(shè)備（PVT法）、金剛石生長設(shè)備（MPCVD法）等。此外，今年1月，晶馳機電自主研發(fā)的“全自動碳化硅腐蝕清洗設(shè)備”成功交付海外客戶，標(biāo)志著其在國際市場上邁出重要一步。
臻晶半導(dǎo)體近期也推出了自主研發(fā)的液相法碳化硅電阻爐技術(shù)，為碳化硅晶體生長提供了全新選擇。該單晶爐支持6至8英寸大直徑設(shè)計，能夠滿足不同尺寸晶體生長需求。其多點溫度實時監(jiān)控功能可實現(xiàn)溫場空間的穩(wěn)定調(diào)控，而多元活性助溶技術(shù)則通過優(yōu)化助熔劑配方提升溶碳量，從而提高晶體生長速率和良率。
臻晶半導(dǎo)體表示，液相法碳化硅長晶工藝是其核心競爭力之一。該工藝通過精確控制生長參數(shù)，實現(xiàn)了碳化硅晶體的可控生長，不僅提升了晶體的質(zhì)量和尺寸規(guī)則性，還降低了生長溫度和缺陷密度。從市場前景來看，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等新興產(chǎn)業(yè)的崛起，高性能碳化硅材料需求持續(xù)增長，液相法碳化硅電阻爐技術(shù)的應(yīng)用潛力巨大。
圖源：晶馳機電

本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-27-138963-0.html國內(nèi)碳化硅技術(shù)突破：晶馳機電與臻晶半導(dǎo)體傳來新進展

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 哪吒汽車高管接連離職，官方回應(yīng)屬實

下一篇： 美光宣布，全面漲價！