近期，晶馳機電和臻晶半導體兩家企業相繼傳來好消息，分別在電阻法和液相法碳化硅晶體生長技術上取得重要進展。
據晶馳機電官微3月24日消息，該公司自主研發的“電阻法碳化硅單晶生長設備”在今年3月成功完成了十二寸多晶生長驗證。這一成果為第三代半導體材料的低成本擴徑量產提供了全新解決方案。晶馳機電表示，該設備可通過創新熱場方案實現同一臺設備穩定量產八寸和十二寸碳化硅單晶，晶錠形態完美，表面微凸度控制在2.4mm以內，突破了多尺寸生長技術的壁壘。
晶馳機電是浙江大學杭州科創中心孵化的企業，其產品覆蓋第三代和第四代半導體材料裝備，包括碳化硅晶體生長設備（PVT法）、金剛石生長設備（MPCVD法）等。此外，今年1月，晶馳機電自主研發的“全自動碳化硅腐蝕清洗設備”成功交付海外客戶，標志著其在國際市場上邁出重要一步。
臻晶半導體近期也推出了自主研發的液相法碳化硅電阻爐技術，為碳化硅晶體生長提供了全新選擇。該單晶爐支持6至8英寸大直徑設計，能夠滿足不同尺寸晶體生長需求。其多點溫度實時監控功能可實現溫場空間的穩定調控，而多元活性助溶技術則通過優化助熔劑配方提升溶碳量，從而提高晶體生長速率和良率。
臻晶半導體表示，液相法碳化硅長晶工藝是其核心競爭力之一。該工藝通過精確控制生長參數，實現了碳化硅晶體的可控生長，不僅提升了晶體的質量和尺寸規則性，還降低了生長溫度和缺陷密度。從市場前景來看，隨著新能源汽車、數據中心等新興產業的崛起，高性能碳化硅材料需求持續增長，液相法碳化硅電阻爐技術的應用潛力巨大。
圖源：晶馳機電

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