存儲器大廠美光近日宣布，其HBM3E 12H 36GB和SOCAMM存儲器產(chǎn)品已正式量產(chǎn)出貨，并分別整合至NVIDIA HGX B300 NVL16與GB300 NVL72平臺。據(jù)美光透露，這兩款存儲器專為數(shù)據(jù)中心AI服務(wù)器設(shè)計(jì)，分別針對GPU和CPU的數(shù)據(jù)處理需求提供優(yōu)化解決方案。

SOCAMM存儲器模塊基于模塊化LPDDR5X存儲器設(shè)計(jì)，主要服務(wù)于CPU部分的數(shù)據(jù)存取需求，支持更大存儲容量。而HBM3E高帶寬存儲器則專為GPU處理數(shù)據(jù)使用，具備更高的存儲容量和更低的功耗表現(xiàn)。美光成為全球首家同時出貨這兩款產(chǎn)品的存儲器廠商。
美光副總裁Praveen Vaidyanathan表示，GPU性能每兩年增長3倍，而存儲器擴(kuò)展效能僅提升1.6倍，這種差距形成了所謂的“存儲器墻”。為滿足日益增長的AI模型需求，美光通過芯片和先進(jìn)封裝技術(shù)的創(chuàng)新，持續(xù)推動存儲器性能提升。
SOCAMM模塊與NVIDIA合作開發(fā)，具備傳輸速度快、體積小、功耗低和容量高等特點(diǎn)。例如，其數(shù)據(jù)傳輸帶寬比傳統(tǒng)RDIMM存儲器高出2.5倍，同時支持4組16層LPDDR5X存儲器堆疊，最高容量可達(dá)128GB。而HBM3E 12H 36GB在相同體積下提供更高容量和更低功耗，進(jìn)一步提升AI運(yùn)算效率。
盡管SOCAMM模塊目前僅用于服務(wù)器產(chǎn)品，但美光表示，未來不排除與英特爾、AMD等廠商合作，開發(fā)更多服務(wù)器端存儲器解決方案。此外，美光還計(jì)劃基于LPDDR5X技術(shù)推出更多符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的模塊化存儲器產(chǎn)品，以滿足不同市場需求。

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