美光(Micron)27日宣布將于2026年在日本廣島市工廠正式量產最先進的1γ DRAM。
這一突破性的產品融合了EUV曝光技術和美光的HKMG CMOS技術,展現了美光在DRAM領域的創新實力。
為了確保這一計劃的順利實施,美光已經在臺灣的DRAM工廠采用EUV曝光機提升1γ DRAM的品質,而廣島工廠將成為第二個引入該技術的生產基地,預計2025年6月前完成設備引進。
與1β DDR5 DRAM相比,1γ DRAM在性能上有了顯著提升,傳輸速度提高15%,電力消耗降低20%以上,同時存儲容量也增加了30%以上。這些優勢將為用戶帶來更加出色的使用體驗。
美光與日本政府的緊密合作也為這一計劃的成功提供了有力保障。在政府的補貼支持下,美光將投資約34億美元用于廣島工廠的設備升級和研發工作。
此外,美光還在神奈川縣橋本技術中心加強HBM的研發能力,以進一步推動技術創新。
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