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美光推進1γ DRAM，2026年日本廣島量產(chǎn)計劃穩(wěn)步推進

來源：責(zé)編：時間：2025-03-01 08:07:42 96觀看

導(dǎo)讀美光（Micron）27日宣布將于2026年在日本廣島市工廠正式量產(chǎn)最先進的1γ DRAM。這一突破性的產(chǎn)品融合了EUV曝光技術(shù)和美光的HKMG CMOS技術(shù)，展現(xiàn)了美光在DRAM領(lǐng)域的創(chuàng)新實力。為了確保這一計劃的順利實施，美光已經(jīng)在臺灣的DR

美光（Micron）27日宣布將于2026年在日本廣島市工廠正式量產(chǎn)最先進的1γ DRAM。

這一突破性的產(chǎn)品融合了EUV曝光技術(shù)和美光的HKMG CMOS技術(shù)，展現(xiàn)了美光在DRAM領(lǐng)域的創(chuàng)新實力。

為了確保這一計劃的順利實施，美光已經(jīng)在臺灣的DRAM工廠采用EUV曝光機提升1γ DRAM的品質(zhì)，而廣島工廠將成為第二個引入該技術(shù)的生產(chǎn)基地，預(yù)計2025年6月前完成設(shè)備引進。

與1β DDR5 DRAM相比，1γ DRAM在性能上有了顯著提升，傳輸速度提高15%，電力消耗降低20%以上，同時存儲容量也增加了30%以上。這些優(yōu)勢將為用戶帶來更加出色的使用體驗。

美光與日本政府的緊密合作也為這一計劃的成功提供了有力保障。在政府的補貼支持下，美光將投資約34億美元用于廣島工廠的設(shè)備升級和研發(fā)工作。

此外，美光還在神奈川縣橋本技術(shù)中心加強HBM的研發(fā)能力，以進一步推動技術(shù)創(chuàng)新。

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