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士蘭集宏8英寸SiC項目順利封頂

來源: 責編: 時間:2025-03-01 08:00:21 29觀看
導讀近日,士蘭微電子旗下的廈門士蘭集宏半導體有限公司宣布,其8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造項目已正式封頂。該項目總投資額達到120億元,分兩期建設,預計將成為全球領先的8英寸SiC功率器件產線。經過8個月的緊張施工,該項目

近日,士蘭微電子旗下的廈門士蘭集宏半導體有限公司宣布,其8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造項目已正式封頂。
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該項目總投資額達到120億元,分兩期建設,預計將成為全球領先的8英寸SiC功率器件產線。h4N28資訊網——每日最新資訊28at.com


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經過8個月的緊張施工,該項目已順利完成封頂。一期工程預計將于2025年第四季度初步通線,2026年第一季度試生產,達產后年產能將達到42萬片8英寸SiC芯片。二期投產后,總產能將進一步提升至72萬片/年。h4N28資訊網——每日最新資訊28at.com


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士蘭集宏項目以SiC MOSFET為核心產品,旨在滿足新能源汽車、光伏逆變器、智能電網等高需求領域對高性能功率器件的需求。h4N28資訊網——每日最新資訊28at.com


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該項目的成功封頂,標志著士蘭微電子在SiC領域邁出了重要一步,將進一步推動國內SiC產業鏈的完善和發展。h4N28資訊網——每日最新資訊28at.com


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據悉,士蘭微電子已經實現了第Ⅳ代SiC MOSFET芯片的量產,并獲得了國內知名車企的批量采購。未來,士蘭集宏項目將有望滿足國內40%以上的車規級SiC芯片需求,為新能源汽車產業提供強有力的支持。h4N28資訊網——每日最新資訊28at.com


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