AVt天堂网 手机版,亚洲va久久久噜噜噜久久4399,天天综合亚洲色在线精品,亚洲一级Av无码毛片久久精品

當前位置:首頁 > 科技  > 芯片

三星將采用長江存儲技術,應對NAND芯片難題

來源: 責編: 時間:2025-02-26 12:35:29 71觀看
導讀近日,三星與長江存儲達成一項重要協議,簽署了 3D NAND 混合鍵合專利許可協議。從第 10 代 V-NAND(V10)起,三星將運用長江存儲的專利技術,尤其是 “混合鍵合” 技術。三星計劃在 2025 年下半年量產下一代 V10 NAND,這款產品預

近日,三星與長江存儲達成一項重要協議,簽署了 3D NAND 混合鍵合專利許可協議。從第 10 代 V-NAND(V10)起,三星將運用長江存儲的專利技術,尤其是 “混合鍵合” 技術。
PVe28資訊網——每日最新資訊28at.com


PVe28資訊網——每日最新資訊28at.com

三星計劃在 2025 年下半年量產下一代 V10 NAND,這款產品預計堆疊層數高達 420 至 430 層。當芯片堆疊層數超過 400 層時,底層外圍電路會承受極大壓力,嚴重影響芯片的可靠性。為攻克這一難題,三星決定在 V10 NAND 中采用 W2W 混合鍵合技術。該技術通過直接貼合兩片晶圓,摒棄傳統凸點連接方式,不僅縮短了電氣路徑,提升了芯片性能與散熱能力,還優化了生產效率。PVe28資訊網——每日最新資訊28at.com


PVe28資訊網——每日最新資訊28at.com

其實早在四年前,長江存儲便已領先一步,將混合鍵合技術應用于 3D NAND 制造,并將其命名為 “晶棧(Xtacking)”,同時構建了完備的專利布局。目前在 3D NAND 混合鍵合關鍵專利方面,掌握核心技術的公司主要有美國 Xperi、中國長江存儲以及中國臺灣臺積電。三星在相關技術研發上,幾乎難以避開長江存儲的專利布局。PVe28資訊網——每日最新資訊28at.com


PVe28資訊網——每日最新資訊28at.com

本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-27-133753-0.html三星將采用長江存儲技術,應對NAND芯片難題

聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com

上一篇: 三星SDI聯合現代起亞,進軍機器人電池領域

下一篇: 工信部開展算力強基揭榜行動,聚焦六大方向提升算力水平

標簽:
  • 熱門焦點
Top