在存儲技術持續創新的進程中，鎧俠（Kioxia）與閃迪（Sandisk）在 2025 年的 ISSCC 展會上，聯合推出了具有里程碑意義的第 10 代 3D 閃存技術。這項技術憑借 4.8Gb/s 的 NAND 接口速度、優異的電源效率以及更高的密度，為行業樹立了全新標準。
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該技術運用最新的 Toggle DDR6.0 接口標準和 SCA（分離指令地址）協議，搭配 PI-LTT（電力隔離低接觸終端）技術，大幅提升了 NAND 接口速度。相較于當下大規模生產的第 8 代 3D 閃存，第 10 代產品的接口速度提高了 33%，達到 4.8Gb/s。這意味著數據讀寫速度將得到極大優化，無論是數據中心處理海量數據，還是高性能計算機追求快速響應，都能獲得更高效的支持。pPP28資訊網——每日最新資訊28at.com

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在電源效率方面，新技術成果斐然。借助 PI-LTT 技術，它成功使輸入功耗降低 10%，輸出功耗降低 34%。在提升性能的同時，有效降低了能耗，契合現代數據中心節能減排的迫切需求。對于人工智能、大數據分析等對計算資源和能源消耗巨大的領域而言，這種低功耗特性極具價值。pPP28資訊網——每日最新資訊28at.com

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從存儲密度來看，第 10 代 3D 閃存技術將存儲層數增至 332 層，并優化布局以提高平面密度，位元密度提升了 59%。這使得存儲設備能夠在有限空間內存儲更多數據，有力地滿足了日益增長的數據存儲需求。pPP28資訊網——每日最新資訊28at.com

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