2月19日,泛林集團宣布推出全球首款金屬鉬原子層沉積設備——ALTUS Halo。該設備專為尖端半導體制造設計,提供卓越的特征填充與低電阻率、無空隙的鉬金屬化沉積,標志著半導體金屬化技術的新紀元。
ALTUS Halo作為ALTUS系列的最新力作,正與各大芯片制造商緊密合作,進行資格認證與量產準備。它不僅是半導體金屬化技術的轉折點,更為未來AI、云計算及智能設備的高級存儲與邏輯芯片擴展鋪路。
隨著下一代應用性能要求的提升,對先進半導體及制造工藝的需求日益迫切。泛林集團憑借深厚的金屬化專業知識,通過ALTUS Halo實現了從鎢到鉬的技術過渡,引領行業變革。
鉬因其低電阻率及無需粘附層或阻擋層的特性,成為未來芯片制造的理想選擇,可顯著提升芯片速度與效率。
ALTUS Halo已投入量產,其精確的鉬沉積技術針對多種金屬化需求進行優化,支持溫度敏感應用的保形或選擇性沉積,并具備自下而上的填充能力。
目前,韓國與新加坡的領先3D NAND制造商及邏輯晶圓廠已率先采用,DRAM客戶的開發工作也在積極推進中。
本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-27-132549-0.html全球首款,泛林集團推出金屬鉬原子層沉積設備ALTUS Halo
聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com