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鎵仁半導體實現4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜突破

來源: 責編: 時間:2025-02-21 09:36:46 54觀看
導讀據鎵仁半導體官微消息,杭州鎵仁半導體有限公司有新進展。公司基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備,優化工藝,采用垂直布里奇曼(VB)法,成功實現 4 英寸氧化鎵單晶的導電型摻雜。此前,鎵仁半導體在 VB 法氧化鎵單晶生長上,已

據鎵仁半導體官微消息,杭州鎵仁半導體有限公司有新進展。公司基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備,優化工藝,采用垂直布里奇曼(VB)法,成功實現 4 英寸氧化鎵單晶的導電型摻雜。
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此前,鎵仁半導體在 VB 法氧化鎵單晶生長上,已實現直徑 4 英寸的突破。之后,團隊在此基礎上開展導電型摻雜工作。令人驚喜的是,研發團隊僅用一爐次,就完成了 4 英寸導電型氧化鎵單晶的生長,并且長晶結果穩定可重復。kWM28資訊網——每日最新資訊28at.com


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這充分展現出鎵仁半導體自研的氧化鎵專用晶體生長設備,以及配套的晶體生長工藝,在 VB 法氧化鎵單晶生長方面,具備高適配性、高穩定性和高容錯率的優勢。kWM28資訊網——每日最新資訊28at.com


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