盧偉冰長文解析K60至尊版 對Redmi有著里程碑式的意義
在今天的Redmi后性能時代戰略發布會結束之后，Redmi總經理盧偉冰又帶來了一篇長文，詳解了為什么 Redmi 要開啟后性能時代？為什么選擇和 MediaTek、Pixelworks 深度合作？以及后性
1.成都：上半年AI產業規模達424億元，同比增長36.9%
集微網消息，8月6日，成都市政府官網發布消息，上半年成都人工智能產業規模達424億元，同比增長36.9%。
成都布局人工智能產業由來已久，產業規模發展持續壯大。
2020年，科技部批復支持成都建設國家新一代人工智能創新發展試驗區。2021年，工業和信息化部印發通知，支持創建成都國家人工智能創新應用先導區。
據介紹，2022年成都市人工智能產業規模為616億元，位列全國第7，產業增速位居全國第1，綜合實力排名全國第6。
據成都日報報道，8月4日下午，市經信局市新經濟委人工智能產業處相關負責人向記者透露，截至8月4日上午，2023年度算力券已發放235萬元。算力券開啟申領以來接到了很多企業咨詢，但由于不少企業使用的不是國產生態，需要進行適配遷移，因此只能明年再申請使用算力券，這也說明，推進算力產業自主可控迫在眉睫。
近日，《成都市加快大模型創新應用推進人工智能產業高質量發展的若干措施》發布，提出強化智能算力供給，涵蓋推動算力基礎設施建設、推進算力產業自主可控等要點。
推動算力基礎設施建設。引導國家超算成都中心、成都智算中心合理擴容，布局多種計算單元集成、混合精度的通用智能算力，配置成熟易用的人工智能全棧運行環境，加快建成國家新一代人工智能公共算力開放創新平臺。引導現有以存儲備份服務為主的數據中心向以智能計算服務為主的先進數據中心轉型，推動數據中心轉型升級。積極參與國家超算互聯網、中國算力網等算力網絡建設，配合省級部門做好全省一體化算力調度中心建設，為人工智能產業發展提供高效公共算力服務。
推進算力產業自主可控。圍繞“算力”“存力”“運力”等關鍵領域，大力發展芯片、服務器整機、液冷設備等高端硬件，聚力推動存儲芯片產業發展，打造具有全球影響力的“存儲谷”，支持鯤鵬、昇騰、海光等自主可控芯片部署應用，提高自主研發算力設備比例。加快操作系統、數據庫等基礎軟件研發和本地規模化應用，促進應用軟件與國產芯片協同發展。瞄準國產自主可控生態建設，加大與華為等鏈主企業合作力度，推進共育算力產業主體、共建算力生態孵化平臺，打造算力“國產化建設試驗地”。
2.芯至科技完成近億元天使輪融資，與比亞迪電子達成合作
集微網消息，8月4日，芯至科技宣布完成近億元天使輪融資，由惠友資本、群欣資本聯合投資。
芯至科技于2023年正式運營，總部位于上海張江，在西安、北京、廣州設有研發分支機構，
致力于高性能計算基礎核心技術開發，在指令集（ISA）設計、高性能CPU、GPGPU、Coherence Fabric、HSIO、Chiplet等關鍵領域掌握核心技術。
據悉，芯至科技由一批長期在項目開發一線的核心架構師和資深專家級工程師組成開發團隊，可為客戶提供通用高性能計算芯片、通用高性能IP、特定場景定制計算芯片、特定場景定制計算內核IP、BMC定制服務和自動化測試服務。
此外，芯至科技官宣，近日與比亞迪電子達成業務合作，聯合開發高性能服務器系統。未來雙方會加強在大算力領域的合作，探索云、邊、車、端各種場景的合作機會。
3.國產射頻前端模組高端化進程加速，華天科技L-PAMiD SiP封裝助力國產射頻模組突圍
過去十多年來，手機通信功能發生了翻天覆地的變化。一方面通信制式從針對地區和運營商的特定設計向“全球通”設計轉變，另一方面通信技術從2G向5G演進，得以實現這一巨大變革的原因正是功率放大器（PA）、濾波器、天線、開關和低噪聲放大器（LNA）等支撐通信功能的射頻器件的不斷升級換代。隨著手機智能化提升，需要支持的通信頻段、交互通道增多、帶寬變大，對射頻前端器件的數量和功能要求大幅提升，手機中的射頻前端方案日益集成化、小型化、模組化，高集成度射頻前端模組已是大勢所趨。
受5G滲透率提升的驅動，Yole數據顯示射頻前端市場規模在2021年達到了190億美元，預計到2028年將增長至269億美元；進入2022年后，全球消費電子市場持續低迷，射頻前端市場基本與2021年持平，但中長期來看，這一市場仍然充滿前景。
近幾年在國內龐大的終端市場需求、國產替代浪潮及資本加持下，中國射頻前端產業發展步入快軌，一批具有代表性的射頻前端企業不斷涌現。不過，雖然5G技術的應用進一步拉升了射頻前端器件市場空間，但國內廠商一時間難攻破由Skyworks、高通、Qorvo、博通與村田等國際射頻巨頭建立的市場壁壘，在行業進入下一個高速增長周期前，本土射頻前端產業鏈從設計、制造到封測，向模組化、高端化市場進階的需求日益迫切。
國產射頻前端產業邁向高端的壁壘——模組化
根據集成方式的不同，射頻前端模組主集天線射頻鏈路包括FEMiD（集成射頻開關、濾波器和雙工器）、PAMiD（集成多模式多頻帶PA和FEMiD）、L-PAMiD（LNA、集成多模式多頻帶PA和FEMiD）等；分集天線射頻鏈路可分為DiFEM（集成射頻開關和濾波器）、LFEM(集成射頻開關、低噪聲放大器和濾波器)等。
分集天線射頻鏈路
由上圖射頻前端模組的組成結構不難看出，L-PAMiD模組是集成了目前常見的分立多模多頻PA、LNA、射頻開關、濾波器以及雙工器等獨立射頻器件的射頻前端模組，也是目前集成度最高、設計難度最大、封裝工藝最復雜的射頻前端模組。這類高端射頻模組的市場，目前主要由美商博通、Qorvo、Skyworks、高通（RF360）等廠商占據。
M/H LPAMiD開蓋圖 來源：Qorvo
從Qorvo公司M/H L-PAMiD模組可見，該類產品集成了17顆BAW，2顆GaAs HBT，以及6顆SoI和1顆CMOS控制器，設計以及封裝技術難度堪稱射頻前端領域最高。相比于單顆分立PA芯片的價格已經降到幾十美分，這類復雜模組的售價可以達到3~4美元甚至更高。因此射頻模組是未來射頻前端器件的必然之路，有望成為競爭的主戰場。
Yole預測，到2026年，射頻前端模組市場規模將達到155.38億美元，約占射頻芯片市場的71.70%。其中接收模組市場規模將達到33.39億美元，發射端PA模組市場規模可達到94.82億美元。目前智能手機中高端機型多使用集成度高的PAMiD/L-PAMiD方案，但中低端機型也開始配置L-PAMiD，方案呈現下沉趨勢。
觀察國內射頻前端產業，當前已經在PA、開關、天線等領域取得了令人欣喜的成績，例如在2G至4G的單顆分立PA上國產廠商占據了全球市場的主導地位，5G PA市占率也在穩步提升，射頻開關/LNA領域更是誕生了全球龍頭企業。
但模組方面，即使是簡單的5G PAMiF和LFEM模組領域，國內也才起步量產2年左右，由于設計集成難度大且受制于沒有自己的SAW 和BAW技術，大部分企業只能從國外大廠采購濾波器，這又面臨供應受限的可能，因此國內幾家領先的射頻公司也才剛起步研發和小量試產L-PAMiD SiP模組，相比于上文提及的4家美國射頻巨頭公司落后了5年以上的時間。
可喜的是，國內眾多射頻前端企業早已聚焦于研發生產SAW和BAW濾波器，在研發和工藝提升方面都取得了重大的進步，開始有能力為國內射頻前端模組的設計、研發和生產提供保障。雖然在性能指標和工藝制程方面與國際巨頭仍有不小的差距，但是已經可以滿足基本要求，模組設計公司也要在實際使用過程中不斷和國內濾波器廠家進行合作試用、找差、改進、再試用的循環推進，共同保障國內高端射頻PAMiD SiP模組的設計研發和生產供應，在努力追趕國外巨頭技術的同時，做到關鍵器件的國產替代和自主可控。
射頻前端模組設計和封測挑戰與日俱增
射頻前端模組作為高度集成的器件，核心在于需要極強的系統整合能力，對整個模組架構、設計、封測都提出了更高的要求，包括簡化設計、小型化、降低能耗、降低解決方案成本、提高系統性能等諸多方面。除了設計，射頻前端模組對封測能力也提出了更高的要求。
例如2022年華天科技率先與國內2家射頻設計公司合作研發的L-PAMiD模組，產品設計要求在更小的尺寸上實現產品功能的高度集成帶來了產品內部的高密度貼裝，其中被動元器件間距、WLP與die間距、die to die間距等都在突破現有封裝設計規則，這給SMT貼裝、清洗、塑封等制程帶來了巨大的挑戰，GaAs芯片容易發生crack、SAW（WLCSP封裝）濾波器的bump void 和虛焊問題，以及挑戰目前SMT貼裝極限能力的008004（公制0201）MLCC器件的貼裝和塑封完全填充，都是L-PAMiD模組封裝過程中要解決的工藝難點。
來源：Yole
此外，對于SiP而言，由于系統級封裝內部走線的密度非常高，普通的PCB難以承載；而IC載板的多層數+低線寬線距則更加契合SiP要求，更適合作為SiP的封裝載體。為了追求產品極致性能和高可靠性，華天科技協同客戶開發的L-PAMiD模組采用了coreless工藝的8層基板，要求基板側面有多層漏銅來增強EMI Shielding電磁屏蔽性能，且模組背面四角焊盤使用綠油開窗增大焊盤面積提升產品板級可靠性；這些特殊設計在封裝過程中產生諸工藝難題，如成品切割時的基板綠油分層、側面銅層氧化/變形、Sputter溢鍍和鍍層分層等，給產品封裝帶來了很大的工藝難度。
華天科技指出，從最簡單的分集模組DiFEM、LiFEM到集成度最高的L-PAMiD等主集模組，實現的功能越來越多，也要求越來越多的分立器件集成在一個模組中，而且手機要求模組的尺寸越小越好，這對產品設計帶來了極大地挑戰，需要不斷突破現有的設計規則上限。此外，模組中集成的不同濾波器采用了不同的材料和制造工藝，包含了LTCC、WLP和CSP三種主要的封裝形式，在模組封裝中都面臨不同的挑戰。比如LTCC主要需解決焊接后傾斜和塑封完全填充的封裝難題；WLP主要需要解決bump虛焊和bump void的封裝難題；CSP則最主要是解決背面焊盤焊接后的錫膏空洞過大和塑封完全填充的難題。
因此隨著模組中器件的密集度更高，如何保證封裝中的貼裝精度、焊接后徹底清洗干凈、塑封完全填充嚴實、EMI shiedling的全覆蓋和結合性、產品可以經受嚴格可靠性考核等都是模組封裝面臨的重要考驗。
華天科技DSMBGA封裝量產在即，助力國產射頻前端更進一步
5G到來之后，手機終端需要支持更多的頻段。并且5G定義了3GHz以上、6GHz以下的超高頻（UHB）頻段，對射頻前端性能提出了更高要求，單部手機中的射頻前端模塊數量不斷增加，以往射頻前端模組所采用的單面SiP逐漸無法滿足有限空間的小型化要求，DSMBGA（Double Side Molding BGA）雙面塑封BGA SiP工藝走上舞臺，并逐漸成為行業技術的未來發展方向。
DSMBGA主要用于射頻前端模組領域，將原先的單面SiP模組做成雙面后，模組的外形尺寸減少20%以上，產品厚度只增加不到0.2mm，而且將多個頻段集成在一個模組實現，可以更好地滿足手機對模組更小尺寸、更全性能的要求。
伴隨著國產射頻前端模組向最高集成度穩步邁進，國內可與之匹配的先進封裝技術的同步發展也迫在眉睫。
華天科技自2015年開始射頻PA產品的封裝技術研發和生產工作，客戶覆蓋國內主要PA設計公司。從早期的2G/3G/4G PA，到近兩年的5G PA模組封裝都保持著國內封裝廠商的領先地位和主要市場份額。
在射頻前端模組領域，華天科技早在2019年協同客戶一起進行5G L-PAMiF和L-FEM模組套片的封裝工藝研發和工程樣品試制。針對GaAs FC die的特殊材質和bump結構易發生UBM crack、bump crack的高風險點，華天科技基于內部仿真數據指導，和多年單顆分立射頻器件封裝經驗積累，從基板設計、塑封料選擇、超薄鋼網小顆粒錫膏的連續穩定印刷、化學水洗工藝匹配、塑封工藝優化等多個技術難題進行了攻關突破，成功保證了5G L-PAMiF和L-FEM模組在國內率先量產，目前已經累計出貨過億顆，未發生產品質量異常客訴。客戶產品性能優異，比肩國際競商產品，也率先進入三星、vivo等手機品牌供應鏈。
華天科技射頻前端模組產品技術路線圖
繼5G L-PAMiF模組的研發生產保持國內封裝廠商領先地位的基礎上，基于過去3年積累的量產經驗，華天科技于2022開始在L-PAMiD模組上集中工程力量進行技術攻關，通過大量的工程DOE實驗，成功解決了前文列舉的各項封裝工藝難題，封裝產品通過了客戶的性能測試和多次可靠性考核，僅用時5個月就實現了產品從NPI build到100K再到KK級的量產規模，產品封裝測試良率、可靠性均滿足客戶要求，再次取得了射頻模組封裝工藝研發和規模量產在國內封裝廠商的領先地位。
2023年以來，華天科技與多家射頻設計公司聯合進行DSMBGA產品的封裝工藝研發，封裝技術的主要挑戰在于如何保證塑封后的基板翹曲平整度、密集器件和濾波器、die的塑封完全填充、strip grinding精度控制和防止die crack、激光燒球準確度控制、EMI共形屏蔽和分腔屏蔽實現等等。目前，華天科技已基本解決以上封裝工藝難題，雙面塑封產品線已經建立，6月底已經完成國內某客戶首個產品工程樣品的客戶送樣，年內有望實現量產。
據悉，華天科技目前正和客戶合作研發迄今為止國內封裝廠最復雜的DSMBGA產品，在技術攻關和量產實現后，華天科技不僅將持續保持國內射頻模組SiP封裝的領頭羊地位，還將極大地刺激和鼓勵國內射頻前端設計公司向雙面塑封方向投入研發，助力客戶追趕國外射頻巨頭如Skyworks、Qrovo、博通等企業，為國產射頻前端產業添磚加瓦！
本周消息，“組合拳”政策效果不斷顯現，下半年經濟將保持穩定向好態勢；四部門對無人機實施出口管制；無錫、上海市閔行區莘莊鎮、浙江臨海等地出臺集成電路專項政策；我國唯一CPO技術標準發布；粵芯半導體三期項目主廠房封頂；景嘉微GPU產業項目落戶無錫高新區；復現韓國室溫超導，中國多所高校公布實驗結果……
熱點風向
國家自然科學基金委發布集成芯片前沿技術科學基礎重大研究計劃項目指南
7月31日，國家自然科學基金委員會發布集成芯片前沿技術科學基礎重大研究計劃2023年度項目指南。
本重大研究計劃針對集成芯片在芯粒數量、種類大幅提升后的分解、組合和集成難題，圍繞以下三個核心科學問題展開研究：芯粒的數學描述和組合優化理論，大規模芯粒并行架構和設計自動化，芯粒尺度的多物理場耦合機制與界面理論。擬資助培育項目10-20項，直接費用的平均資助強度約為80萬元/項，資助期限為3年；擬資助重點支持項目7-10項，直接費用的平均資助強度約為300萬元/項，資助期限為4年。
國家發改委：“組合拳”政策效果不斷顯現 下半年經濟將保持穩定向好態勢
8月4日上午，國家發展改革委、財政部、人民銀行、稅務總局聯合召開新聞發布會，介紹“打好宏觀經濟組合拳，推動經濟高質量發展”有關情況。
國家發展改革委副秘書長、綜合司司長袁達表示，隨著“組合拳”各項政策效果不斷顯現，下半年經濟將在上半年持續恢復的基礎上，保持穩定向好態勢。同時袁達指出，強化國家戰略科技力量，加強創新能力建設，發揮科技型骨干企業引領支撐作用，組織更多企業牽頭和參與關鍵核心技術攻關，推動創新鏈產業鏈資金鏈人才鏈深度融合。延續實施優化企業創業投資環境、支持突破“卡脖子”問題等階段性政策。同時，在進一步增強企業科技創新能力、提升產業鏈供應鏈韌性和安全水平等方面加強政策儲備，不斷夯實產業發展基礎。
發改委等8部門發布促進民營經濟發展28條，提及云計算、AI等
8月1日，國家發改委等8部門發布關于《實施促進民營經濟發展近期若干舉措》的通知，推動破解民營經濟發展中面臨的突出問題，激發民營經濟發展活力，提振民營經濟發展信心。《措施》聚焦促進公平準入、強化要素支持、加強法治保障、優化涉企服務、營造良好氛圍五個方面28條舉措。例如，提及支持民營企業參與重大科技攻關，牽頭承擔工業軟件、云計算、人工智能、工業互聯網、基因和細胞醫療、新型儲能等領域的攻關任務。
我國唯一CPO技術標準發布，8月1日實施
7月28日，中國電子工業標準化技術協發布了《半導體集成電路 光互連接口技術要求》等九項團體標準。8月1日，首個由中國企業和專家主導制訂的CPO技術標準正式發布實施。
計算機互連技術聯盟消息顯示，該標準是我國目前唯一的CPO技術標準，同時也是之前CCITA制訂的Chiplet標準的衍生標準，對中國集成電路行業突破摩爾定律，布局技術自主的硅光芯片戰略，實現對數據中心、云計算以及人工智能大模型帶來的爆發性算力需求的有效應對，具有里程碑意義。該CPO標準界定了交換機和服務器中所使用的共封裝收發器系統架構，規定了與共封裝光收發器相關的交換機與服務器網絡接口卡的總體布局、光學特性、電學特性、數字管理接口、機械結構等技術要求。
四部門對無人機實施出口管制 大疆回應：嚴格遵守
7月31日，商務部、海關總署、國家國防科工局、中央軍委裝備發展部發布關于對無人機相關物項實施出口管制的公告。公告顯示，為維護國家安全和利益，經國務院、中央軍委批準，決定對特定無人駕駛航空飛行器或無人駕駛飛艇相關物項實施出口管制。
據環球時報消息，大疆對新出臺的出口管制做出回應：“大疆作為一家全球化企業，在出口管制領域始終保持嚴謹負責的態度。大疆一直嚴格遵守并執行中國及其他業務所在國或地區所適用的出口管制法律法規。”
多地發布集成電路專項政策
本周，無錫、上海市閔行區莘莊鎮、浙江臨海等地發布集成電路專項政策。
無錫：7月31日，無錫市人民政府發布《關于加快建設具有國際影響力的集成電路地標產業的若干政策》。本次發布的產業新政是在2016年無錫首次發布集成電路產業專項政策基礎上的第3次迭代，堪稱是專項政策3.0版本，從政策的系統性、針對性、創新性和補貼力度四個方面實現了優化升級。補貼力度方面，新政在原有基礎上，增加了資金總量，加大了補貼比例，提高了額度上限，將原有的專項資金提高了3倍，增加至3億元。
上海市閔行區莘莊鎮：7月26日，上海市閔行區莘莊鎮人民政府印發《關于進一步促進莘莊鎮集成電路產業高質量發展的實施意見》，以進一步優化集成電路產業發展生態，提升產業創新能力和質量效益，全面推進莘莊集成電路產業高質量發展，加快打造 “1+2+N”產業集群新高地。對首次落戶莘莊、經營期滿一年的集成電路相關企業，經認定給予一次性獎勵。按企業研發投入的10%予以補貼，最高不超過300萬元。
浙江臨海：近期，浙江臨海市人民政府辦公室出臺《關于促進集成電路產業高質量發展的實施意見》，提出要培育產業集群、支持企業壯大、構筑產業生態。對新引進投資規模1億元以上的集成電路裝備、制造、封測和材料類企業，按照設備技術投資額（含潔凈間建設費用）20%給予補助，最高補助2000萬元。鼓勵銀行設立集成電路專項貸款和面向集成電路產業的金融產品。對重點項目利用金融機構非政策性貸款的，給予同期貸款市場報價利率（LPR）50%的利息補貼，期限3年，單個項目最高補貼1000萬元。
復現韓國室溫超導，中國多所高校公布實驗結果
今年7月，韓國的物理學家發表論文聲稱，發現世界首個室溫常壓超導體——LK-99，這也吸引了全世界的目光。此后，全球多個實驗室開始驗證、復現。
華中科技大學：華中科技大學材料學院團隊成功首次驗證合成了可以磁懸浮的LK-99晶體，該晶體懸浮的角度比Sukbae Lee等人獲得的樣品磁懸浮角度更大，有望實現真正意義的無接觸超導磁懸浮。
東南大學：8月3日凌晨，東南大學物理學院教授發布視頻稱，其團隊在110 K(-163.15℃)以下，常壓觀測到LK-99材料出現零電阻。隨后，該團隊對前述觀測到零電阻的樣品進行了邁斯納效應的測量，“就是完全抗磁性測量，但是我們并沒有在磁性測量上面觀測到這個完全抗磁性。”
視頻的最后指出：“我們成功地在LK-99材料下面觀測到110K下的零電阻，但這并不是室溫超導的證據。它是否有室溫超導，還有待進一步的探索和測量，我們的團隊會繼續在這方面努力。”
園區及項目動態
南京浦口半年成績單：集成電路產業產值同比增36.9%
今年上半年，該區集成電路產業實現產值104.9億元，同比增長36.9%，繼續保持南京市第一；數字經濟核心產業營收138億元，同比增長11.2%。
浦口地標鮮明，是創新驅動的產業“高地”。當前浦口正全力打造集成電路、高端交通裝備、文旅健康、數字經濟和人工智能等產業集群。
粵芯半導體三期項目主廠房封頂 明年初工藝設備搬入
7月28日，粵芯半導體官微消息顯示，粵芯半導體新建12英寸集成電路模擬特色工藝生產線項目（三期）主廠房順利封頂。三期項目將進入潔凈室和動力安裝建設階段，預計明年年初工藝設備搬入。
三期項目在一、二期項目的基礎上，持續瞄準工業電子和汽車電子領域，在已有技術平臺基礎上重點聚焦工藝平臺質量規格的精進；緊握粵港澳大灣區產業終端優勢，深度與國內工業芯片終端用戶和汽車終端廠家及一級供應商合作，給客戶提供更優、更高品質的產品。粵芯半導體將繼續加快推動總投資162.5億元的三期項目建設，力爭在2024年全面建成并完成投產。
景嘉微GPU產業項目落戶無錫高新區
近日，景嘉微無錫GPU產業項目簽約儀式舉行，落戶無錫高新區。景嘉微無錫GPU產業項目全部建成投產后，計劃產值將超50億元。無錫市副市長周文棟表示，景嘉微電子在國內圖形處理芯片設計領域處于龍頭地位，此次企業把最核心的研發團隊、最重要的戰略布局落戶無錫高新區，將進一步助力無錫建設集成電路產業高地。
積塔半導體特色工藝生產線建設項目二階段鋼結構完成首吊
中建八局發展建設公司30日消息顯示，近日，積塔半導體特色工藝生產線建設項目（二階段）鋼結構順利完成首吊，項目建設邁入新階段。該項目總建筑面積22萬平方米，建設周期約600天。項目建成后，將進一步提升國內芯片制造技術能級，真正打破國產汽車芯片制造技術瓶頸，解決“卡脖子”難題。
積塔半導體特色工藝生產線項目作為“在建”項目連續上榜2022年上海市重大建設項目清單、2023年上海市重大工程清單。
20億元富樂德半導體產業項目傳感器子項目完成簽約
8月2日，富樂德半導體產業項目傳感器子項目正式完成簽約。富樂德半導體產業項目總投資120億元，主要建設12英寸拋光片生產線、傳感器等項目，其中12英寸拋光片生產線項目已于7月正式開工建設。本次完成簽約的傳感器子項目總投資20億元，主要建設溫度傳感器制品生產線，產品將應用于無人駕駛汽車、工業和醫療等領域。
敏聲-賽萊克斯北京8英寸BAW濾波器聯合產線量產儀式舉行
2023年7月31日，武漢敏聲新技術有限公司戰略融資暨敏聲-賽萊克斯北京8英寸BAW濾波器聯合產線量產儀式舉行。
武漢敏聲首批量產的多款BAW濾波器，采用完全自主的結構設計和獨具特色的工藝技術路線，具體性能指標實現重大突破，產品性能達到業內先進水平，標志著武漢敏聲成功實現高端射頻濾波器國產化自主研發及生產。本次BAW濾波器的量產投產和新品發布，為國內射頻濾波器行業注入一針強心劑。
安徽省新一代信創產業基金簽約，規模20億元
7月26日，安徽省新興產業發展基金子基金安徽省新一代信創產業基金簽約儀式舉行。
安徽省新一代信創產業基金規模20億元，由省新興產業發展基金、蚌埠市、廣發信德共同發起。基金將聚焦于安徽省集成電路、新型顯示、智能終端、工業互聯網、5G/6G、空天信息、云計算和大數據、軟件和信息技術服務、量子科技等領域開展投資布局，助力安徽省新一代信息技術產業發展。
橫琴粵澳深度合作區產業投資基金設立，規模100億元
近日，橫琴粵澳深度合作區出資設立了“橫琴粵澳深度合作區產業投資基金”，基金規模100億元，管理人為中金資本運營有限公司，引導基金將重點投向科技研發和高端制造產業、現代金融產業等。
根據《橫琴粵澳深度合作區鼓勵類產業目錄》，科技研發和高端制造產業包括集成電路設計，集成電路先進封裝與測試，特色工藝研發與制造，半導體設備及關鍵材料研發與制造，集成電路芯片設計平臺（EDA工具）、相關軟件研發、配套IP庫；電子元器件、計算機、信息、生物、新材料、環保、機械裝備、精密儀器設備等先進制造技術開發與制造；通用或高端通用處理器、儲存器和操作系統集成開發環境等基礎軟硬件及其相關測試驗證工具的研發與制造等。
國家集成電路特色工藝及封裝測試創新中心項目通過驗收
7月31日，集成電路特色工藝及封裝測試制造業創新中心能力建設項目驗收會舉行。
據悉，本項目通過開展特色工藝及封裝測試尤其是三維高密度系統集成前瞻技術研發的關鍵共性技術研發，構建國家集成電路特色工藝及封裝測試創新中心的基本架構和核心團隊，為國內封測產業技術升級與中小企業的創新創業提供持續支撐，將中心建設成為高密度三維系統集成先導工藝平臺、封裝設計服務平臺、網絡化測試服務平臺和知識產權平臺的復合型創新研發機構。項目成果面向行業關鍵共性技術取得的突破，起到了較好的示范和引領作用。
企業動態
華為鴻蒙HarmonyOS 4系統發布：AI引擎增強 新增實時窗功能
華為開發者大會HDC 2023暨HarmonyOS 4發布會于8月4日召開，全新的HarmonyOS 4系統正式發布。截至目前，鴻蒙生態設備已達7億臺，HarmonyOS開發者人數超過220萬。
新版系統共有幾大升級：全新界面、個性主題；全新華為方舟引擎使得性能提升20%，續航增加30分鐘；通知中心更新，新增“實時窗”功能；小藝語音助手AI引擎大升級；安全管控更強。
小鵬汽車自動駕駛副總裁吳新宙確認離職，傳或加入英偉達擔任高管
此前業內有消息稱，小鵬汽車自動駕駛副總裁吳新宙將離職，8月2日晚，小鵬汽車創始人何小鵬在微博發文，證實了這一消息，表示尊重吳新宙要回到美國的決定，并對他表達贊許和祝福。何小鵬發布微博之后，吳新宙也在微博撰文表達感謝。李力耘博士將接手吳新宙的工作，接管小鵬汽車自動駕駛團隊。
關于吳新宙的新工作，何小鵬透露他將赴美成為全球知名公司的最高等級華人高管，并繼續在芯片等多方面與小鵬深度合作。業內消息稱，吳新宙將前往英偉達，擔任全球副總裁這一級別的職位，向黃仁勛匯報。
芯馳科技與三星半導體簽約，加強車規芯片領域深度合作
8月2日，芯馳科技與三星半導體聯合宣布，雙方達成長期戰略合作關系，加強在車規芯片領域的深度合作。
據悉，為進一步推動車規半導體的系統集成和適配項目，芯馳科技將在全場景車規芯片的參考方案開發中引入三星半導體的高性能存儲芯片，共同推進雙方在車載領域的技術創新與突破。
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