6 月 10 日消息，韓媒 the bell 當地時間昨日報道稱，由于 HBM4 內存的 I/O 數量較此前產品翻倍至 2048，在 HBM4 DRAM上沿用 1b 工藝的 SK 海力士和美光不得不擴大 DRAM Die 的面積，降低了單晶圓上可生產的 HBMDRAM Die 數量。HpG28資訊網——每日最新資訊28at.com

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不過對于三星電子而言，由于其 HBM4 內存的 DRAM Die 工藝將從前代的 1a nm 升級兩代到 1c nm，預計單晶圓 DRAM Die 產量仍將有所提升。但考慮到工藝復雜度的變化，三星的 HBM4 實際成本也將增加。HpG28資訊網——每日最新資訊28at.com

業界消息預計，HBM4 內存的早期規格 12Hi 36GB 的市場售價將超過 600 美元（IT酷哥注：現匯率約合 4311 元人民幣），形成較同容量 HBM3E 的明顯溢價。HpG28資訊網——每日最新資訊28at.com

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